详细说明
品牌:Engis
化合物半导体(GaAs/InP)背面减薄工艺设备
应用领域:GaAs,InP
设备特点:
上蜡后将陶瓷盘放入压片机真空腔内进行压片,并将Wafer不陶瓷盘间隙内空气排空
真空腔内设有硅胶垫,上片均匀性非常理想
配合冷水机使用,缩短上片时间
手动贴蜡机:
设备的设计理念及特征
将陶瓷盘加热,在陶瓷盘上均匀涂上固体蜡,将InP晶圆均匀粘贴在陶瓷盘上。
并将上部的冲压头靠气缸压力来压着粘有晶片的陶瓷盘,让InP晶圆牢固粘贴在陶瓷盘上。
主要规格:
设备型号EBM-200-1AL-TC
粘贴压力MAX100kgfat0.25MPaSiliconPad
粘贴尺寸MAXOD200mm
腔U/D气缸PneumaticramOD63Stoke:170mm
腔真空真空发生器
冷却不锈钢水管套
时间控制真空和压力
尺寸400mm(W)300mm(D)730mm(H)
重量约100kg
特点:
水冷系统用专用冷水机控制水温
时间控制系统采用电动气阀
真空腔用真空发生泵
硅胶加压PAD晶圆TTV,BOW,WARP稳定性高
设备要求:
真空0.6MPa
选配:
1,冷水机;2,加热台EC-1200N;3,ENGIS固体蜡;4,陶瓷盘