SUSS的MJB4是广受欢迎的手动光刻机MJB3的全新换代产品。操作方便，占地面积小，成为实验室研究和小批量生产的理想设备。作为经济型光刻解决方案，MJB4针对直径达100mm的小尺寸基片工艺确立了一套工业标准。MJB4配有高可靠和高精度的对准系统，同时具备亚微米量级的高分辨率图形转移能力，这些特点都使得MJB4的性能明显优于同类设备。

　　MJB4系统可广泛用于MEMS和光电子，例如LED生产。它经过特殊设计，方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料，包括砷化镓和磷化铟。而且该设备可通过选配升级套件，实现紫外纳米压印光刻。

　　MJB4紫外曝光机/光刻机

　　Perfect Low-Cost Solution:

　　•High Accuracy

　　•Good Optical performance

　　•latest processes (e.g. UV-NIL)

　　Addressed Markets:

　　•MEMS

　　•Telecommunications

　　•Compound Semiconductors

　　•Nano Imprint Lithography

　　Manual Tool: Easy To Operate

　　Technical Data

　　•Wafer size: 1′′ up to 100 mm / 4′′ (round)

　　•Min. pieces: 5 x 5 mm

　　•Wafer thickness: up to 4 mm

　　•Mask size: standard 2′′ x 2′′ up to 5′′ x 5′′ (SEMI)

　　•Mask thickness: up to 4.8 mm / 190 mil

　　Exposure Modes

　　•Contact: soft, hard, vacuum, soft vacuum

　　•Proximity up to 50μm gap

　　Optics

　　•UV250, UV300, UV400 and broadband optics

　　•Intensity Uniformity ± 3% on 100mm

　　•Constant power or constant intensity

　　•Lamp sizes: 200W, 350W, 500W (for UV250)

　　•Resolution down to 0,5 μm L/S (vacuum contact, UV250)

　　Alignment

　　•TSA alignment accuracy: 0.5μm (with SUSS recommended wafer targets)

　　•Transmitted IR Alignment accuracy: < 5μm (<2μm under special process conditions)

　　•Alignment gap:10–50μm

　　Single or splitfield microscope with/w/o CCD camera