基础款有 MA/BA6 4 代和 MA/BA8 4 代两种。此掩模和键合对准机的设计符合人体工程学，用户界面友好，成本低，占用面积小，最适合于学术研究及小批量生产使用。

　　苏斯的 MA/BA 4 代系列为学术研究、微机电系统/纳米机电系统、3D 集成和化合物半导体全光刻领域树立了新的标准。另外，它还能够支持键合对准、熔接键合及 SMILE 压印工艺。在 MA/BA 4 代系列上开发的工艺可以快速地转化为自动化掩膜对准机大批量生产工艺。

　　Perfect Low-Cost Solution:

　　•High Accuracy

　　•Good Optical performance

　　•latest processes (e.g. UV-NIL)

　　Addressed Markets:

　　•MEMS

　　•Telecommunications

　　•Compound Semiconductors

　　•Nano Imprint Lithography

　　Technical Data

　　•Wafer size: up to 150 mm / 6′′ (round)

　　•Min. pieces: 5 x 5mm

　　•Mask size: SEMI spec, standard up to 7′′x 7′′(SEMI)

　　Exposure Modes

　　•Contact: soft, hard, low vacuum, vacuum

　　•Proximity : exposure gap 1-300 μm

　　Optics

　　•UV250, UV300, UV400 and broadband optics

　　•Intensity Uniformity ± 5% on 100mm

　　•Constant power or constant intensity

　　•Lamp sizes: 200W, 350W, 500W (for UV250)

　　•Resolution down to 0,4 μm L/S (vacuum contact, UV250)

　　Alignment

　　•Top Side Alignment (TSA); Bottom Side Alignment (BSA); Infrared Alignment (IR) Vacuum

　　•TSA alignment accuracy: 0.5μm (with SUSS recommended wafer targets)

　　•BSA:down to 1μm

　　•Alignment gap:1–1000μm