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　　电子内窥镜最重要的部分就是成像的部件，也就是CCD咯，然而CCD的图像传感器FTT1010M作为CCD的核心，更是让人重视起来，FTT1010M敏感元件主要有三部分构成。第一部分是光敏区（IMAGE），即光积分区，产生光生电荷；第二部分是存储区（STORAGE），用于缓存光敏区的光生电荷；第三部分是位于芯片上部和下部的两个水平移位输出寄存器，水平移位输出寄存器将光生电荷水平转移到芯片四个角（W、X、Y、Z）的输出放大器，输出放大器内有一个浮置扩散电容FD，它可以将接收到的电荷包转换为电压信号并转移出CCD。当CCD工作于帧转移模式时，Y、Z象限的输出器不做使用。在本图像采集系统中，只采用X象限单端输出。

　　电子元器件是元件和器件的总称。电子元件:指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子，它对电压、电流无控制和变换作用，所以又称无源器件。电子器件:指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。例如晶体管、电子管、集成电路。因为它本身能产生电子，对电压、电流有控制、变换作用（放大、开关、整流、检波、振荡和调制等），所以又称有源器件。按分类标准，电子器件可分为12个大类，可归纳为真空电子器件和半导体器件两大块。电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展迅速，应用广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。【深圳市名优再生资源回收有限公司】

　　筛选回收的铜屑，将未污染的铜屑或相同组成的铜材料返回炉中进行熔化，然后直接使用。污染严重的铜屑需要进一步处理。除去杂质后，混合后的铜合金废料的成分需要在熔化后进行调整。通过这种再生处理，铜的物理和化学特性不会被破坏，而是会更新。具体步骤如下:  高价回收废铁提醒您，含铜废料涵盖范围很广，包括铜，黄铜，青铜和白铜废料。其中，废铜比较大，如废电缆，铜管，棒，板，块，条等。它易于加工，根据回收和加工的方便可分为五种。  1.红的铜管，棒，板，块，带，表面清洁，无污渍，油泥和其他附着物和杂物，各种裸铜线，短线和其他纯铜屑。  2.（a）铜废料与纸粉，各种缘材料，少量淤泥，铁锈和垃圾混合在一起，其总质量小于1％；  （b）直径大于0.3毫米的漆包线没有灰尘和碎屑。  3.各种废纯铜或纯铜电气开关以及薄镀锌零件。  高价回收废铁  4.（a）漆包线的直径为0.1?0.3mm。  （b）带有污泥或少量其他夹杂物的漆包线。  （c）清洁易碎的消防线。  5.各种含有纯铜的水箱，蒸发器，热交换器和其他设备的内部均不得有填充物，只能允许少量自然形成的水垢。处理根据纯度分类。  甚至铜及其铜合金也可分为53类。高价回收废铁通常将铜含量超过99％的铜材料称为1号铜，可以直接重熔并使用而无需进一步处理。铜含量低至94.5％的铜被称为2号铜，在以金属铜的形式使用之前需要重熔。其他类别包括铅黄铜，黄铜和低锌黄铜，壳黄铜，高铜黄铜（红黄铜），高速切削黄铜等，它们可用于以相同合金的形式加工铜产品组成。【深圳市名优再生资源回收有限公司】

　　※电阻器阻值标示方法:1、直标法:用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。 2、文字符号法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示位小数阻值和第二位小数阻值。表示允许误差的文字符号文字符号:DFGJKM允许偏差分别为:±0.5%±1%±2%±5%±10%±20%【深圳市名优再生资源回收有限公司】

　　应用:指示灯、显示屏、照明等。 12. 蜂鸣器（Buzzer） 作用:将电信号转换为声音信号。 应用:报警、提示音、音响设备等。 这些元器件在电子电路中相互配合，构成各种功能的电路，广泛应用于消费电子、工业控制、通信、医疗设备等领域。 光纤、光纤预制棒材料:市场需求旺盛。光通信是我国推行以信息化带动工业化，建设信息社会的基石；目前我国光纤年需求量约占1/4，产量约占1/3，能否在光通信领域掌握主动权直接关系到国家信息和国民经济能否健康稳定发展。“十五”期间，我国在光纤预制棒的研究和生产中取得显着的成果。长飞公司对PCVD进行优化改进，制备了120mm大尺寸光棒，低水峰光纤达到世界水平，同时正在开发世界上的RIC大尺寸光棒拉丝工艺技术，富通集团、法尔胜股份公司的光纤预制棒生产规模也有不同程度的扩大并有少量出口。我国已成为世界光纤预制棒和光纤生产应用大国，北京国晶辉红外科技公司研制的四氯化锗材料年生产能力达20吨，替代了大部分产品。【深圳市名优再生资源回收有限公司】

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　　直接影响电力电子设备的长期性，促使客户更倾向于选择透明度和可控性更高的本土IGBT模块和SiC国产IGBT模块的技术突破与性能提升国产IGBT模块在芯片设计、制造工艺（如场截止型技术）和高压大电流应用上已实现突破，性能接近 甚至超越产品。 ，其性和效率得到验。

　　第三代半导体（SiC）的弯道超车

　　中国功率模块企业在碳化硅（SiC）领域进展显著。多家中国碳化硅MOSFET厂商推出的SiC模块，开关【深圳市名优再生资源回收有限公司】

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　　在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。将万用表拨于R×100档，首先确定栅。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，明此脚就是栅G。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D，红表笔接的是S。日本生产的3SK系列产品，S与管壳接通，据此很容易确定S。将G悬空，黑表笔接D，红表笔接S，然后用手指触摸G，表针应有较大的偏转。【深圳市名优再生资源回收有限公司】