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　　电子内窥镜最重要的部分就是成像的部件，也就是CCD咯，然而CCD的图像传感器FTT1010M作为CCD的核心，更是让人重视起来，FTT1010M敏感元件主要有三部分构成。第一部分是光敏区（IMAGE），即光积分区，产生光生电荷；第二部分是存储区（STORAGE），用于缓存光敏区的光生电荷；第三部分是位于芯片上部和下部的两个水平移位输出寄存器，水平移位输出寄存器将光生电荷水平转移到芯片四个角（W、X、Y、Z）的输出放大器，输出放大器内有一个浮置扩散电容FD，它可以将接收到的电荷包转换为电压信号并转移出CCD。当CCD工作于帧转移模式时，Y、Z象限的输出器不做使用。在本图像采集系统中，只采用X象限单端输出。

　　※三管:三管就是由二个PN结构成三个的电子元件，基（B）集电（C）、发射（E）。※三管作用:三管在电路中主要起电流放大和开关作用；也起隔离作用。 ※三管命名:中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。 部分:用数字表示半导体器件有效电数目。2-二管、3-三管【深圳市名优再生资源回收有限公司】

　　第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和性。表示二管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U- 光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。【深圳市名优再生资源回收有限公司】

　　它们性质的差异使结型场效应管往往运用在功放输入级（前级），缘栅型场效应管则用在功放末级（输出级）。场效应管的工作原理和三管其本一样，只是他们一个是压控型元件，一个是电流控制元件，场效应管只有一个PN结，如图所示1-1※场效应分类使用注意事项及检测方法:MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源间电容又小，易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G与S呈等电位，积累静电荷。管子不用时，引线也应短接。【深圳市名优再生资源回收有限公司】

　　9．对于四个数字的标法就是前三位为实数,第四位为倍数.1001为1K、1002为10K、1005为10M电子元件知识——电容器※电容:是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。电容的符号是C。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10*6uF=10*12pF【深圳市名优再生资源回收有限公司】

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　　，电源管理也是一个重要方面。我们选择了低压差稳压器（LDO），为MCU和LCD提供稳定的电源。  在实际应用中，电源的稳定性直接关系到整个系统的稳定运行。总而言之，即使是一个简单的电子秤项目，也涉及到多种类型的电子元器件，包括传感器、微控制器、显示器、被动元件和电源管理电路等。选择和使用这些元器件需要考虑诸多因素，并需要在实际操作中不断调试和优化。  这只是冰山一角，电子元器件的种类，选择合适的元器件需要根据具体的应用需求进行判断。  学和掌握这些元器件的特性和使用方法，是从事电子设计工作必不可少的技能。【深圳市名优再生资源回收有限公司】

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　　双栅MOS场效应管有两个栅G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2。目前有的MOSFET管在G-S间增加了保护二管，平时就不需要把各管脚短路了。对于其它相关认识，我不做细说，只要大家能认识就行了。※集成电路:集成电路是一种采用，将晶体管、电阻、电容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件，英文为缩写为IC，也俗称芯片。在电路中用“U”表示。【深圳市名优再生资源回收有限公司】