时间:2019-07-19 10:04
在成立百年之后,GE研发中心开始迈向世界,扩展新的市场。2000年,首个全球研发中心在印度班加罗尔成立。同年,GE中国研发中心在上海成型,并在2003年于张江高科技园定向为跨业务集团的研究中心。GE实施跨领域研究和发展的最新基地位于巴西里约热内卢。连同德国慕尼黑的GE德国研发中心和纽约尼斯卡于纳(Niskayuna)的GE全球研发中心总部,这五个遍布世界的研发中心,正一起努力发展创新技术来应对世界性的棘手问题。
GE秉承持续创新的理念,不断在更广泛的范围内探索物体和物质。GE科学家们用光和其他资源开发出了诸如全息数据储存技术以及新型有机发光二级管等等的信息工具。 在中国,GE荣誉赞助2008年北京奥运会及2010年上海世博会美国馆。2012年,GE中国创新中心相继在成都及西安落成。
20BD022A3NYNACD0 |
20BD022A3NYYACC0 |
20BD027A0AYNACD1 |
20BD027A0AYNADD0 |
20BD027A0AYNANA0 |
20BD027A0AYNANB0 |
20BD027A0AYNANC0 |
20BD027A0AYNAND0 |
20BD027A3AYNACC1 |
20BD027A3AYNAEC0 |
20BD027A3AYNAEC1 |
20BD027A3AYNANC0 |
20BD027A3AYNAND0 |
20BD027A3AYYADC0 |
20BD027A3AYYANC1 |
20BD034A0AYNACC1 |
20BD034A0AYNACD0 |
20BD034A0AYNANA0 |
20BD034A0AYNANC0 |
20BD034A0AYNAND0 |
20BD034A0AYYANA0 |
20BD034A0AYYANC0 |
20BD034A0NYNACC1 |
20BD034A0NYNADA0 |
20BD034A3AYNACD0 |
20BD034A3AYNADA0 |
20BD034A3AYNAEA0 |
20BD034A3AYNANC0 |
20BD034A3AYNAND0 |
20BD034A3AYYANC1 |
20BD040A0AYNANA0 |
20BD040A0AYNANC0 |
20BD040A0AYNAND0 |
20BD040A3AYNACC1 |
20BD040A3AYNAEA0 |
20BD040A3AYNAEB0 |
20BD040A3AYNAEC0 |