氮化铝陶瓷电路板拥有良好的热学和电学性能，是功率型LED封装的极佳材料，特别适用于多芯片（MCM）和基板直接键合芯片（COB）等的封装结构，同时也可以作为其他大功率电力半导体模块的散热电路基板。

　　我公司采用激光快速活化金属化技术（Laser Activation Metallization,简称LAM技术），可大规模生产单面、双面、通孔化陶瓷基金属化基板，陶瓷基印刷电路板（陶瓷基PCB）等产品，产品质量稳定性好，在许多领域具有十分广泛的用途。

　　产品主要参数:

　　热导率     氧化铝陶瓷的热导率（15～35 W/m.k）

　　氮化铝陶瓷的导热率（170～230 W/m.k）

　　结合力     大可达45MPa

　　热膨胀系数     与常用的LED芯片相匹配

　　可焊性     可在260℃多次焊接，并可在－20～80℃内长期使用；

　　绝缘性     耐击穿电压高达20KV/mm

　　导电层厚度     1μm～1mm内可调

　　高频损耗         小，可进行高频电路的设计和组装

　　线/间距（L/S）分辨率  大可达20μm

　　有机成分         不含有机成分，耐宇宙射线

　　氧化层     不含氧化层，可以在还原性气氛中长期使用

　　产品十大优势:

　　1、更高的热导率和更匹配的热膨胀系数；

　　2、更牢、更低阻的导电金属膜层；

　　3、基板的可焊性与耐焊性好，使用温度范围广；

　　4、绝缘性好；

　　5、导电层厚度在1μm～1mm内可调；

　　6、高频损耗小，可进行高频电路的设计和组装；

　　7、可进行高密度组装，线/间距（L/S）分辨率大可以达到20μm,从而实现设备的短、小、轻、薄化；

　　8、不含有机成分，耐宇宙射线，在航空航天方面可靠性高，使用寿命长；

　　9、铜层不含氧化层，可以在还原性气氛中长期使用。

　　10、三维基板、三维布线。

　　公司主要产品是陶瓷基电路板，如氧化铝陶瓷电路板、氮化铝陶瓷电路板、氧化锆陶瓷电路板、玻璃电路板、LED陶瓷电路板（包括二维和三维电路板）等，以及部分环氧三维电路板，采用自主研发的激光快速活化金属化技术（Laser Activation Metallization, 简称LAM技术）技术制作而成。