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重庆渝赣铭瑞自动化科技有限公司
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上海新华XDC800，GE新华XDPS 400+ 400E/艾默生MEV系列变频器/富士变频器、美国COOPER阀门、韩国三信阀门等进口品牌1
2
3 XAI-81-24
77
78 ABB钠表钠电极1048 837
79
80 电导率电极AC221/231131/STD
81
82 电导率电极AC221/211131/STD
83
84 ABB电导率电极AC212/241231/STD
85
86 ABBPH电极AP30.3./.0.00.1
87
89
90
92
94
96
97 电导率传感器AC221/211121
98
100
101 电导率传感器AC212/231221
102
103 PH传感器TB557J1E00T29
104
105 ABB 7650-004
106
108
110
111 流通池FCD1000
112
113 干标器7997 087
114
115 纳表参比电极1436 837
116
117 纳表测量电极1048 836
118
119 纳表测量电极电缆3米1403 500
120
121 年度备件包AW601155
122
123 硅表4通道常压头AW600742
124
125 ABB钠表参比电极1436 837
126 PH计电极TB556.J.1.E.50.T.20
127 硅表泵管AW601155
128 TB557J3EB1T20
129
130 AX460/2000C
131 TB556.1.1.A.45.T.10
133 TB55660A20T30
134 TB555J2EG10JB
135 TB55713DM1T20
137 TB557.1.3.E.B.1.T.15
138 AP30.3/5.0.0.2.0.00.01
139 TB556.1.3.E.50.T.17
140
141 TB556J3D15T20
142 TB556.1.1.B.40.T.20
143 TB556.1.1.D.11.T.20
144 TB556.1.1.D.15.T.20
145 TB556.1.1.E.15.T.10
146 TB556.1.1.E.15.T.20
147 TB556.1.1.E.50.T.20
148 TB556.1.3.D.15.T.20
149 TB556.1.3.D.50.T.10
150 TB556.1.3.E.50.T.20
151 TB556.3.1.6.00.F.20
152 TB556.3.1.6.15.F.20
153 TB556.3.1.6.15.F.20
154 TB556.3.1.6.15.F.30
155 TB556.5.0.D.15.T.20
156 TB556.5.0.D.15.T.25
157 TB556.5.0.E.15.0.JB
158 TB556.5.0.E.50.T.20
159 TB556.A.0.E.15.T.20
160 TB556.F.1.6.00.F.20
161 TB556.F.1.E.15.F.20
162 TB556.F.1.E.15.T.30
163 TB556.J.1.D.00.T.20
164 TB556.J.1.D.11.T.20
165 TB556.J.1.D.15.T.10
166 TB556.J.1.D.15.T.20
167 TB556.J.1.D.15.T.25
168 TB556.J.1.D.15.T.30
169 TB556.J.1.D.50.T.20
170 TB556.J.1.D.50.T.30
171 TB556.J.1.E.00.T.20
172 TB556.J.1.E.00.T.20
173 TB556.J.1.E.15.F.20
174 TB556.J.1.E.15.T.20
175
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181 TB556.J.1.E.15.T.20
182 TB556.J.1.E.15.T.30
183 TB556.J.1.E.50.T.20
184 TB556.J.1.E.50.T.30
185 TB556.J.2.E.15.0.JS
186 TB556.J.3.6.11.F.10
187 TB556.J.3.D.00.T.30
188 TB556.J.3.D.15.T.20
189 TB556.J.3.E.11.T.20
190 TB556.J.3.E.15.T.15
191 TB556.J.3.E.15.T.30
192 TB556.J.3.E.50.T.20
193 TB556.J.I.E.50.T.20
194 TB557.1.1.D.7.1.T.20
195 TB557.1.1.D.B.1.T.20
196 TB557.1.1.D.G.1.T.20
197 TB557.1.1.D.M.1.T.20
198 TB557.1.1.E.B.1.T.29
199 TB557.1.2.A.B.1.F.20
200 TB557.1.2.D.7.1.0.JB
201 TB557.1.3.D.M.1.T.20
202 TB557.1.3.E.B.1.T.15
203 TB557.1.3.E.B.1.T.15
204 TB557.J.0.E.0.0.0.J1
205 TB557.J.1.D.B.1.T.20
206 TB557.J.1.D.B.1.T.29
207 TB557.J.1.E.0.0.T.20
208 TB557.J.1.E.B.1.T.20
209 TB557.J.1.E.B.1.T.29
210 TB557.J.1.E.B.3.T.29
211 TB557.J.2.5.7.3.0.JB
212 TB557.J.2.E.0.0.0.J4
213 TB557.J.3.5.B.1.T.15
214 TB557.J.3.D.B.1.T.29
215 TB557.J.3.E.B.1.T.29
216 TB557.J.3.E.B.1.T.29
217 TB557.J.3.E.G.4.T.20
218 TB557.J.4.E.B.3.F.20
219 TB561.5.0.E.070.T.20
220 TB561.J.3.E.070.T.20
221 TB564.3.1.6.0.0.T.20
222 TB567.J.1.A.0.8.T.20
223 TB567.J.1.B.0.8.T.30
224 TB567.J.1.B.0.8.T.30
225 TB567.J.3.B.0.8.T.30
226 TB556J3E50T20
227 TB557J1EN1F20
228 AP30.5./1.1.0.1.0.21.1./STD
229 TB55711E71T20
231 TB561.5.0.E.070.T.20
232 TB561.J.3.E.070.T.20
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234 TB561J3E070T20
235 TB56150E070T20
236 TB556.J.1.E.15.T.10
237 AP10.1/.5.02.0.00.0.1./STD
238 TB556.J.1.D.15.T.20
239 AP30.3./2.1.0.8.1.00.1./STD
240 TB556J1E15T10
242 TB556J1D15T20
244 PH电极电缆1015/160（5m）
245
246
247
248 TB557.J.1.D.B.1.T.10
249 pH计电极TB556.J.1.D.15.T.20
250 PH电极TB556/J3.D00.T30
251 PH计电极TB556J1D00T20
252
254 TB556J3D15T30
256 TB557J1EB1T20
257 AP10.1/.1.10.0.04.0.1./STD
259
260 低浓度钠电极1048 836
261 钠表电极1436 836
262 PH电极AP10.1/.1.10.0.04.0.1
264
265
267
268
269 TB556.J.1.E.50.T.30
270
271 TB557.1.1.D.G.1.T.20
272 TB556.1.3.E.11.T.20
273 PH电极TB556J1E00T30 温度补偿3K TC；电极线长:5米
274
275
276 脱硫PH电极TB55711DB1T20温度补偿 3K TC ；电极线长:5米
277 AP10.1/.5.02.0.00.0.1/STD 数量1
278
280 PH电极\AP10.1/.1.10.0.04.0.1
281
282
283
284 控制阀AW600034
285 温度传感器AW600046
286 加热器AW600045
287 管线AW601176
288 过滤器AW600049
289 蠕动泵AW600047
290 滤片AW600087 为寻找下一个能够引领芯片授权普及新革命的产业领域，ARM锁定物联网，宣布三项策略，第一将借助删除固定IP费用及采用以产品成功为基础的授权费用收取系统，来显著降低物联网产品开发进入成本；第二，借助mbed透过ARMDesignStart及物联网装置提供设计SoC上的援助；第三，打造一个社群进一步加速设计过程。
随着全球智能手机市场逐渐趋于成熟饱和，ARM也在寻找下一个能够引领芯片授权普及新革命的产业领域，因此锁定物联网(IoT)领域宣布三项策略，希望让更多开发者能以更低成本采用到ARM物联网SoC设计。
ARM并以Cortex-M0及Cortex-M3处理器作为这项免预付授权费的头两款处理器方案，ARM能否借此主导全球物联网时代芯片架构发展，此次策略宣布将值得观察。
据Techgage报导，ARM最新宣布三项策略，第一将借助删除固定IP费用及采用以产品成功为基础的授权费用收取系统，来显著降低物联网产品开发进入成本；第二，借助mbed透过ARMDesignStart及物联网装置提供设计SoC上的援助；第三，打造一个社群进一步加速设计过程。
在第一点中，以Cortex-M0及Cortex-M3处理器设计物联网系统时无需先付给ARM前置成本，虽然M系列处理器名气没有Cortex-A系列处理器在手机领域来得大，不过在其他装置领域导入却是很普遍，如M0主要提供较低功耗装置导入，M3则为较主流芯片，主要应用在恒温器、其他物联网装置及玩具等装置上。
开发者如果采ARM芯片架构开发的物联网装置只要出货达1,000款，基本上ARM就不会项开发者收取专利费用，让这些面临高生存风险的新创企业无需忧心必须付授权费给ARM的问题。即使最终推出一款成功上市的产品，ARM也仅在出货500万单位下收取不到20万美元授权费，意谓ARM每颗芯片仅收取约0.04美元的授权费。
第二点则与加速设计过程及简化IP管理有关。ARM的DesignStart等于是一个方案，可让开发者整合不同的ARM及合作伙伴IP在一起，再打造自有系统、仿真处理器、在FPGA上进行微调，最终再出货最终版芯片。
“DesignStart Eval”为一基本方案，可让任何开发者在仅需简单的EULA同意下，以M0及M3处理器打造自有ARM处理器；“DesignStart Pro”则是供商用SoC设计及授权之用。而DesignStart不仅只是关于硬件与芯片，也与软件整合有关。
如M3处理器拥有mbed系统平台，能够让开发者自行运行，且mbed为特别为物联网平台打造的操作系统，提供许多需要与不同装置沟通所需的软件库。
第三点则是多数开发者及设计系统领域所推动的社群化。ARMDesignStart开启近用大量工具以及近用ARM论坛的机会，借此能够询问关于社群的问题，目前mbed操作系统已有25万名开发者注册，M系列处理器也有20位IDE程序编译者，并拥有1,000多款指南、书籍及在线资源，甚至能为开发者与合适的工作室取得联系，由工作室为开发者打造芯片，再由ARM进行审核。
日本软银(SoftBank)于2016年收购ARM时，一大收购关键决策即为打造一个平台来引领物联网变革，因此开启以M系列处理器作为达成1兆连网装置目标的第一阶段芯片策略，未来ARM在物联网领域的其他策略与努力，仍值得持续关注。
291 试剂管AW601102
292 稳流块AW600701
293 光学模块AW600110
294 进样稳流块AW600705
295 蠕动泵管AW601108
296 PH变送器AX460/1000C
298 电导率变送器AX410/1000C
299 电导率电极AC212/241231
47
48 369B1860G0016 eDPU控制卡 EDPU
50 369B1841G0131 AI_5_LV G200(DMP PNs) TC/RTD
51 369B1842G0013 AO_5_LV(DMP PNs) AO
52 369B1843G0017 SOE/DI 32_5-LV(DMP PNs) DI
54 369B1868G0008 AI-DZ(ma)(DMP PNs) AI-TB
55 369B1869G0008 RTDEMC-TB(Pt100)(DMP PNs) TC/RTD-TB