高埗ABS板材回收多少钱一斤

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PS-PCL-PS

　　Poly(styrene-b-ε-caprolactone-b-styrene)

　　P2VP-PBd-P2VPPoly(2-vinylpyridine-b-butadiene(1,2addition)-b-2-vinylpyridine)

　　P2VP-PS-P2VP

　　Poly(2-vinyl pyridine-b-styrene-b-2-vinylpyridine)

　　试验例4本发明纳米凝胶对癌细胞的抑制作用采用流式细胞仪，对于细胞凋亡情况进行分析。分别用pbs，空白pmaa纳米凝胶(根据实施例16制备)，非还原响应性p(cpt-maa)纳米凝胶(根据实施例5制备)，p(cpt-maa)前纳米凝胶(根据实施例6制备)和游离cpt与细胞共培养12小时，其中给剂量以cpt含量计为2.5mg/ml。收集细胞，用冷pbs(ph7.4)洗涤三次，用annexin-v-fitc凋亡检测试剂盒(invitrogen)处理，然后在beckmancoulter流式细胞仪(navios，beckman，usa)上分析。

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　　聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚丙烯酸PNPMA-b-PMAAPoly(neopentyl methacrylate-b-methacrylicacid)

　　新戊酯-b-聚甲基丙烯酸

　　PEO-b-PAA

　　Poly(ethylene oxide-b-acrylic acid)

　　聚氧乙烯-b-聚丙烯酸

　　PEO-b-PAMD

　　Altuglas BS 150N 丙烯酸 ((佰塑公司-总代理商)pmma系列 ) 纯度高; 高分子量; 可分散 涂层应用; 牙齿应用领域; 铸模/模具/工具Altuglas BS 203 丙烯酸 ((佰塑公司-总代理商)pmma系列 ) 低分子量; 共聚物 Paint; 粘合剂

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