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　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　实施例6、7、13～15中cpt-ss-m的用量分别占原料总质量的10％、5％、15％、20％。经比较可以看出，随着cpt-ss-m用量的增加，制备得到p(cpt-maa)纳米凝胶的粒径随之增大，接枝率降低。当cpt-ss-m的用量增加至原料总质量25％时，制备得到的p(cpt-maa)纳米凝胶在ph＝7.4的磷酸盐缓冲溶液中溶解，导致无法通过静脉注射给。综合实施例6～15可以看出，随着交联剂、引发剂、cpt-ss-m投料量增加，所制备的p(cpt-maa)前纳米凝胶的直径增加。增加交联剂的用量可以增加聚合早期初级较小核的数量，其倾向于聚集成较大的颗粒以降低其表面张力。增加引发剂的用量将显著提高聚合活性，这不仅增加了聚合早期阶段的原核数量，而且加速了核增大聚合的反应。对于cpt-ss-m，由于cpt的刚性多苯基结构，所制备的纳米凝胶几乎不能被压缩，随着cpt-ss-m的进料量增加，导致直径增加。

　　P4VP-PS- P4VP

　　Poly(4-vinyl pyridine-b-styrene-b-4-vinylpyridine)

　　PS-PBd-PMMAPoly(styrene-b-butadiene-b-methylmethacrylate)

　　PS-PBd-2VP

　　Poly(styrene-b-butadiene-b-2-vinylpyridine)

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　　Altuglas BS 550 丙烯酸 ((佰塑公司-总代理商)pmma系列 ) 共聚物; 中等分子量 混料; 母料; 涂层应用; 粘合剂Altuglas BS 150N 丙烯酸 ((佰塑公司-总代理商)pmma系列 ) 纯度高; 高分子量; 可分散 涂层应用; 牙齿应用领域; 铸模/模具/工具

　　HPMA（Hydrolyzed Polymaleic Anhydride，水解聚马来酸酐）和 PAA（Polyacrylic Acid，聚丙烯酸）都是常用于水处理领域的聚合物，但它们的用途和性能存在一些区别。以下是 HPMA 与 PAA 在用途上的主要区别:1. 阻垢性能 HPMA 在高温下具有的阻垢性能，尤其对碳酸钙、硫酸钙、磷酸钙等盐类的阻垢，因此常用于高温、高压系统中，如锅炉水处理、蒸发设备和海水淡化系统。

　　利用物与带相反电荷的聚合物胶束疏水区通过静电作用而紧密结合，制得胶束。此法操作简单，所得胶束稳定，但条件不易满足,使用不多。不同方法制备的聚合物胶束的释特点

　　1、化学结合的胶束释特点

　　化学结合法制备的载胶束主要通过两种方式释:聚合物胶束降解后胶束结合物的共价键断开释；或胶束结合物的共价键断开，然后物从胶束扩散释。体外释放实验表明，许多聚合物胶束体现出缓释的特点。