大涌硅胶制品回收公司

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　从图10中可以看出, 初的饱和吸附量随物料比而递增, 原因是在增加ECH用量时, Si O2聚合层上的印迹空穴数量在增加, 因此IIP-PEI/Si O2的平衡吸附量增大。当ECH与N原子的摩尔比大于0.51后, IIP-PEI/Si O2的平衡吸附量增大, 即保持常数。 这个结果 表明IIP-PEI/Si O2的伯胺基、仲胺基在ECH与N原子物料 比为0.51的物料比的情况下与交联剂ECH反应, 并且可通过红外光谱来明。因此在这样的条件下, 当PEI/Si O2上形成的空穴数量达到限值时, 它不会再随PEI/Si O2的增加而增加, 并且IIP-PEI/Si O2的吸附量将保持不变。

　　大涌硅胶制品回收公司

　　在本研究中, 我们在硅胶颗粒表面采用的表面印迹技术改性:首先是功能大分子聚乙烯亚胺 (PEI) 通过耦合接枝法接枝到硅胶颗粒表面;其次, 采用Cr3+作为模板分子, 环氧氯丙烷作为交联剂, 合成出离子 印迹聚合 物 (IIP-PEI/Si O2) 。采用静态及动态法研究了IIP-PEI/Si O2对Cr3+的吸附性能。2.1 材料及仪器 硅胶 (120~160目, 粒径约为125 um, 孔径:6 nm, 孔体积:1.0 m L/g, 表面积:350 m2/g) 从大洋化学有限公司购买。PEI (Mw=1×104~2×104) 从强龙化学有限公司购买。

　　He等[6]以3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷 (KH-570) 修饰的纳米硅为载体材料, 甲基丙烯酸 (MAA) 为功能单体, 乙二醇二甲基丙烯酸酯 (EGDMA) 为交联剂, 通过表面接枝共聚法制备了天麻素 (GAS) SSMIP。该SSMIP对GAS具有良好的选择性和较快的结合动力学, 对竞争底物的选择性系数为3.455, 吸附在40min可达到平衡。Gao等[7]以丙基三甲氧基硅烷 (MPS) 作为媒介物, 首次将功能性高分子聚甲基丙烯酸 (PMAA) 接枝到微米级的硅胶粒子表面 (PMAA/SiO2) , 以肌酐为模板, 乙二醇缩水甘油醚 (EGGE) 为交联剂, 通过PMAA和肌酸酐分子间的氢键和静电作用制备肌酐印迹材料MIP-PMAA/SiO2。实验结果表明:MIP-PMAA/SiO2对肌酸酐具有良好的亲和力和较高的识别选择性;而PMAA/SiO2粒子对肌酸酐几乎不存在选择性识别。在碱性条件下PMAA/SiO2对肌酐和肌酸的选择性系数分别为1.23和1.30;而MIP-PMAA/SiO2对肌酐和肌酸的选择性系数显著增大, 分别为11.64和12.87, 显示出对肌酸酐的识别选择性和亲和力。