南山TPR收购价格

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　V是溶液的体积 (L) ;m是吸附剂IIP-PEI/Si O2的质量 (g) 。2.4.2 吸附等温线测定 称取0.2 g的IIP-PEI/Si O2加入锥形瓶中, 分别将100 m L不同质量浓度的 (10, 20, 30~80mg·L-1) 的Cr3+溶液加入到锥形瓶中。将锥形瓶放入到振荡器中 (预先设定的温度及p H) 。当吸附达到平衡, 依据下式计算平衡吸附量3 选择吸附实验为了研究IIP-PEI/Si O2对Cr3+的选择吸附性, 研究了Cr3+与Zn2+、Pb2+的竞争吸附。配制Cr3+/Zn2+及Cr3+/Pb2+的混合液。对上述两种混合溶液进行静态吸附, 在吸附达到平衡后, 测定溶液中Pb2+、Zn2+、Cr3+的含量。 IIP-PEI/Si O2对Pb2+、Zn2+和Cr3+的分布吸附系数 (Kd) 可通过式 (3) 计算

　　Poly(methyl methacrylate-b-methacrylicacid)聚甲基丙烯酸甲酯-聚甲基丙烯酸PtBMA-b-PEO

　　Poly(t-butyl methacrylate-b-ethylene oxide)

　　聚甲基丙烯酸叔丁酯-b-聚氧乙烯

　　PMMA-b-PAA

　　Poly(methyl methacrylate-b-Acrylic Acid)

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　　PLCL-PEG-PLCL，LA:CL 50:50

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-b-poly(lactide-co-caprolactone)

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-b-聚乳酸-聚已内酯PLCL-PEG-MAL

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-MAL  LA:CL 50:50

　　6 洗脱曲线IIP-PEI/Si O2的洗脱曲线如图8所示, 解吸率可以通过以下方程式进行计算: 解吸率 = 解吸液中金属离子量 /IIP-PEI/Si O2吸附的金属离子量×100% 结果表明, 在13 BV时, 解吸率达到99.04%。表明盐酸溶液对Cr3+的解吸率较高。这可能是因为PEI大分子上的氨基在强酸溶液下质子化 , N原子失去了与重金属离子螯合的能力。7 印迹条件对 IIP-PEI/Si O2的影响3.7.1 模板离子浓度的影响 Cr3+与IIP-PEI/Si O2上N原子的摩尔比通过改变Cr3+溶液的浓度变化, 合成出不同的印迹材料IIP-PEI/Si O2, 图9表明IIP-PEI/Si O2的饱和吸附量随着Cr3+和N原子的摩尔比变化的关系。 图 8 洗脱曲线:0.01 mol/L 的盐酸水溶液 ; 流 速 :1BV/h L;温度:20 ℃