中堂POM废料大量收购

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PEI 在Si O2上的接枝量:3.81 g/100 g;温度:20 ℃;时间:30 min;p H:7PEI/Si O2的 BV 柱:2 m L;温度:20 ℃;初始浓度:100 mg/L;流速:5 BV/h 3.5 动力学吸附曲线 PEI/SiO 2和 IIP-PEI/Si O2对Cr3+的动力学吸附曲线如图7所示。当Cr3+溶液通过PEI/Si O2柱, 渗透出现在2 BV, 渗透吸附量为2.32 mg/g, 饱和吸附量为6.06 mg/g。动力吸附量与静态吸附量相似。当Cr3+溶液通过IIP-PEI/Si O2柱时, 渗透出现在4 BV, 渗透吸附量为5.24 mg/g, 饱和吸附量为9.94 mg/g。很明显, 在离子印迹后, IIP-PEI/Si O2对Cr3+的亲和力明显增加。

　　Co-AuNCs ABEI@ Oxi-Dex纳米复合材料[Au8Ag57(Dppp)4(C6H11S)32Cl2]Cl三维（3D）八聚体结构

　　(ATT)保护的AuNCs

　　蛋氨酸保护的AuNCs

　　酶-金属亚纳米团簇复合物

　　脂肪酶-钯亚纳米团簇复合催化剂（0.8Pd/CALB-Pluronic）

　　膜分离技术在水处理、化工、医疗等领域具有广泛的用途。本文以聚砜(PSF)膜为研究对象,将6-葡萄酸内酯和聚甲基丙烯酸固定在PSF膜表面,分别制备了一种抗污染膜和一种离子交换膜,并对膜的对蛋白吸附性能进行了研究。

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　　硅表面分子印迹聚合物 (SSMIP) 是在硅材料表面制备的对目标分子具有高选择性和高吸附量的分子印迹聚合物。SSMIP一般具有以下优势: (1) 通过硅胶能够得到尺寸和形状可控、单分散性好的MIP; (2) 硅材料的力学稳定性和热稳定性较好, 能够提高MIP的力学性能和耐用性; (3) 由于印迹只发生在硅材料的表面, 可以有效减少包埋现象, 有利于模板分子的洗脱和识别, 提高了模板分子的利用率[1,2]。因此, SSMIP引起了研究者的广泛关注。1949年Dickey[3]用染料甲基橙作为模板分子, 制得对甲基橙吸附能力比乙基橙高2倍的吸附材料, 这项研究揭开了SSMIP的崭新一页。至今, 关于SSMIP的研究文献达上千篇, 近年来更是呈现急剧增加的态势。本文着重综述SSMIP制备方法的研究进展, 并简要介绍SSMIP的应用情况。

　　碳纳米管负载金纳米团簇Au15(SR)13小尺寸金纳米团簇

　　Cd1Au14(StBu)12合金纳米团簇

　　金刚烷硫醇保护的Au40（S-Adm）22纳米团簇

　　γ-环糊精-金属有机框架（γ-CD-MOF）

　　Au25(SR)18不同配体不同数量金纳米团簇

　　二氧化硅-BPEI-金纳米团簇

　　Au38(SR)24金团簇