洪梅PVC破碎料回收价格
1960年,出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。
1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。
1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。
1976年,美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。
1989年,日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术(EUVL)。
1990年后,开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。
1992年,IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂,而且在193 nm有较好的透光性 。
纳米管印迹膜一种印迹孔穴具有纳米管形状的分子印迹聚合物膜。纳米管印迹膜的出现标志着分子印迹技术又有了新的突破。这种膜的制备是由王小如研究组首先提出的,他们将表面引发原子转移自由基聚合(ATRP)和分子印迹技术原理相结合,使用多孔阳氧化铝薄膜(AAO)为载体膜并用32氨基丙基三甲氧硅烷进行表面硅烷化处理,将ATRP引发剂22溴222甲基丙酰溴接枝到AAO的表面,然后与金属有机催化剂1、4、8、112四氮杂萘并苯铜、功能单体42乙烯吡啶、印迹分子β2雌二醇或孕酮和交联剂的乙腈溶液混合,在N2保护下进行热聚合得到聚合物膜,除去印迹分子后形成纳米管印迹膜。结果表明,这种结合位点具有纳米级的孔径和几纳米管壁厚度的印迹膜对目标分子具有高选择性、高亲和性、高容量和的结合能力。
聚二甲基硅氧烷-b-聚氧乙烯PDMS-b-PMAA
Poly(dimethylsiloxane-b-methacrylic acid)
聚二甲基硅氧烷-b-聚甲基丙烯酸
P2VP-b-PEO
Poly(2-vinyl pyridine-b-ethylene oxide)
聚乙烯基吡啶-b-聚氧乙烯
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聚甲基丙烯酸(PMMA)为透明易碎的固体。溶于水,易溶于甲醇、乙醇、乙二醇乙醚、二甲基甲酰胺,不溶于丙酮和乙醚。由丙酮和氰化氢的加成中间产物2-甲基-羟基丙腈水解或由2-氰代丙醇与硫酸作用,再经水解制得甲基丙烯酸,甲基丙烯酸在引发剂过硫酸铵或双氧水和调节剂的存在下,进行聚合制得。目前,PMAA的制备方法主要丙酮氰醇法(HCN)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)水解法。丙酮氰醇法(HCN)是国内外生产聚甲基丙烯酸的主要方法,在丙酮与氰氢酸反应生产丙酮氰醇后,丙酮氰醇与浓硫酸反应,生成甲基丙烯酰胺硫酸盐,水解得甲基丙烯酸,在引发剂存在下聚合制得。该生产工艺繁琐、成本高,聚合时对pH值要求高,聚合速率较低;聚甲基丙烯酸甲酯水解法是将PMMA在酸碱催化、加热条件下水解制备聚甲基丙烯酸或聚甲基丙烯酸盐。
聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-羧基PCLA-PEG-NHS
Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-NHS CL:LA 50:50
聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-活化脂
PCLA-PEG-Folate
Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-Folate CL:LA 50:50