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　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　以下通过试验例明本发明的有益效果。试验例1物释放实验

　　通过透析法用于研究纳米凝胶的物释放行为。简言之，将制备好的p(cpt-maa)前纳米凝胶(根据实施例6制备)分别分散，并超声助溶到不同ph值(ph＝7.4，ph＝6.4，ph＝5.0)的1ml磷酸盐缓冲溶液中。然后转移到预先浸润的透析袋中(mwco＝14000)。之后将透析袋浸入到40ml含有不同浓度的谷胱甘肽的的pbs溶液(0，2μm，2mm和10mm)中，释放实验条件为37℃，100转/分钟。在预定的时间点，首先收集5ml释放介质，弃去其他释放介质，然后加入预热的新鲜释放介质。使用hplc测定释放介质中cpt的浓度，每个实验重复三次。释放实验结果如图6所示。

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　　荧光光谱法对于具有荧光性质的模板分子,荧光光谱法是选择功能单体的比较好的方法。荧光供体分子(模板分子)与荧光猝灭剂分子(功能单体)之间借助分子间力,彼此结合形成具有一定结构的不发荧光的基态复合物,而导致荧光强度减弱。即静态荧光猝灭现象。 (4)计算机模拟计算 随着计算机和量子化理论的发展,计算机模拟技术已经应用到分子印迹体系中。这种方法可以大大减少摸索实验的次数,也可以减少不必要的品浪费。计算机模拟计算常用半经验计算方法,大致过程为,步,用软件优化各种可能的模板分子、功能单体及其复合物的构象,选出小能量构象。第2步,功能单体与模板分子的相互作用能利用下式计算:△E=E(模板分子和功能单体的复合物)-E(模板分子)-E (功能单体)。△E越大,说明模板分子与功能单体的作用越易形成氢键,且形成的氢键越牢固。

　　3 分子印迹技术的膜和材料制备方面的应用3.1 新的膜制备技术 (1)多层自组装膜 通过化合物分子之间不同的作用力结合而成。这种作用力主要包括共价或配位作用、氢键、静电力、疏水作用力、π2π堆积作用以及阳离子π吸附作用。多层自组装印迹膜是在印迹聚合物表面通过不同的作用力结合形成膜,然后反复在聚合物混合溶液中进行自组装,形成多层膜结构,将印迹分子洗脱,得到多层自组装印迹膜。自组装方法包括共价(或配位)自组装、氢键自组装、静电自组装。张希等报道了用光交联法和多层膜自组装方法制备的以5、10、15、202四甲基氨基苯21H、23H卟琳为印迹分子的多层自组装印迹膜,与其他方法制备的印迹膜相比具有较高的识别能力。