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　　1942年，英国Eisler发明印刷电路板 [39]，重铬酸盐感光材料作为光敏抗蚀剂用于制造印刷线路板。重铬酸在紫外光作用下还原成三价铬离子，三价铬离子可和水溶性聚合物中的羰基、胺基、羟基等作用形成不溶的配位络合物。

　　1943年，美国杜邦公司提交了世界第一份有关光引发剂的发明专利，尽管这种二硫代氨基甲酸酯化合物感光活性较低，后来也未能转化为实际应用，但确实开启了一种全新的聚合物材料加工技术。

　　1948年，美国专利中出现第一个光固化油墨配方和实施技术的专利。

　　1949年德国Kalle公司首先开发成功紫外正性光刻胶。

　　1954年，由柯达公司的明斯克(L. M. Minsk)等人研究成功的光敏剂增感的聚乙烯醇肉桂酸酯成为第一个光固化性能的光刻胶 [39]，牌号KPR。先用于印刷工业，后用于电子工业。

　　1958年，柯达公司发展出了叠氮-橡胶系的负性光刻胶 ，牌号为KMER和KTFR。

　　聚异丁烯-b-聚乙烯基吡啶PS-b-PBPA

　　Poly(styrene-b-benzyl propylacrylate)

　　聚苯乙烯-b-聚丙烯酸苄酯

　　PS-b-PBd

　　Poly(styrene-b-butadiene(1,2 addition))

　　聚苯乙烯-b-聚丁二烯

　　PS-PCHMA

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　　分子印迹技术一般包括以下几个步骤:①在一定溶剂中,具有适当功能基团的功能单体通过与模板分子间的相互作用聚集在模板分子周围,形成稳定的复合物。②加入交联剂后,过量的交联剂使得功能单体上的功能基团在特定的空间取向上固定。③将聚合物中的印迹分子洗脱或解离出来得到分子印迹聚合物(见下图)。2 分子印迹聚合物及其制备 分子印迹聚合物是分子印迹技术的核心。简单地说,它是一种人工合成的利用分子印迹技术制备的高分子聚合物。该聚合物拥有与模板分子大小和形状相匹配的立体孔穴,同时孔穴中包含了排列的与特定结构的模板分子官能团互补的活性基团。所以分子印迹聚合物具有特异“记忆”功能基团。MIP的制备方法通常有本体聚合、沉淀聚合、表面印迹、溶胶凝胶、两步溶胀等方法。

　　纳米管印迹膜一种印迹孔穴具有纳米管形状的分子印迹聚合物膜。纳米管印迹膜的出现标志着分子印迹技术又有了新的突破。这种膜的制备是由王小如研究组首先提出的,他们将表面引发原子转移自由基聚合(ATRP)和分子印迹技术原理相结合,使用多孔阳氧化铝薄膜(AAO)为载体膜并用32氨基丙基三甲氧硅烷进行表面硅烷化处理,将ATRP引发剂22溴222甲基丙酰溴接枝到AAO的表面,然后与金属有机催化剂1、4、8、112四氮杂萘并苯铜、功能单体42乙烯吡啶、印迹分子β2雌二醇或孕酮和交联剂的乙腈溶液混合,在N2保护下进行热聚合得到聚合物膜,除去印迹分子后形成纳米管印迹膜。结果表明,这种结合位点具有纳米级的孔径和几纳米管壁厚度的印迹膜对目标分子具有高选择性、高亲和性、高容量和的结合能力。