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　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　1 SSMIP的制备方法目前SSMIP的制备方法主要有接枝共聚法、活性可控自由基聚合法、牺牲硅胶骨架法和溶胶-凝胶法4种。 1.1 接枝共聚法 接枝共聚法是利用硅材料表面的活泼基团, 在由一种或几种单体组成的聚合物主链上, 通过一定的途径接上由另一种或几种单体组成的支链的共聚反应。接枝共聚法是高聚物改性技术中易实现的一种化学方法, 近年来在SSMIP制备中的发展尤为迅猛。

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　　2 活性可控自由基聚合法在聚合体系中引入一种的化合物, 与活性种链自由基进行可逆的链终止或链转移反应, 致其失活变成无增长活性的休眠种, 该休眠种在实验条件下又可分裂成活性链自由基, 由此可建立活性种与休眠种间的动态平衡。这种的动态平衡反应不但能将体系中的自由基浓度控制得很低并抑制其终止, 还可以控制聚合产物的分子量和分子量分布, 实现活性可控自由基聚合。 Su等[17]通过拟活性自由基聚合法合成磺胺甲嘧啶 (SMZ) SSMIP。他们使用化学试剂将引发转移终止剂固定在硅胶表面, 以SMZ作为模板, MAA为功能单体, EDMA为交联剂, 由紫外辐射引发聚合反应。通过液相谱对SMZ进行定量分析, 发现该SSMIP对SMZ具有较好的选择性和较高的柱效率, 检测线性范围为0.1~50μg/mL, 检测限为25ng/mL, 对牛奶样品中SMZ的加标回收率在78%以上。

　　利用嵌段的溶解能力的温度依赖性制备胶束相当一部分嵌段共聚物在溶液中有热敏性, 具有LCST相行为，超过此温度即 可形成具有壳-核的胶束结构。利用pHPMAmDL-b-PEG的温度依赖性，将pHPMAmDL-b-PEG溶于等渗的醋酸铵缓冲液中，紫杉醇溶于乙醇中加入缓冲液，加热到50℃后冷却就得到了紫杉醇聚合物胶束，胶束载量达到 22%，体外释实验表明物在5、20h释放了30%、70%。