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　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　进一步优选地，所述原料的重量配比为:喜树碱前50份、甲基丙烯酸450份、交联剂55.6份、引发剂16.8份；喜树碱前:甲基丙烯酸的质量比为1:(4～19)；

　　喜树碱前:交联剂的质量比为50:(26.3～125)；

　　喜树碱前:引发剂的质量比为50:(8.4～33.6)。

　　进一步地，所述交联剂选自甲叉双丙烯酰胺、n,n'-双(丙烯酰)胱胺中一种或两种。

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　　聚醋酸乙烯酯接枝聚苯乙烯(PVAc-g-PSt)复合微球:通过链转移自由基聚合和端基置换反应制备了苯乙烯单封端的 PVAc大分子单体,用凝胶渗透谱(GPC),傅里叶变换红外光谱(FTIR)等对大分子单体的分子量,分子量分布与结构组成进行了测定,发现PVAc 大分子单体的结构明确,分子量在104左右.以得到的PVAc大分子单体为反应性分散稳定剂,一定比例的乙醇/水为反应介质,采用分散共聚法制得了核为聚 苯乙烯(PSt),壳为聚醋酸乙烯酯(PVAc)大分子链的聚醋酸乙烯酯接枝聚苯乙烯(PVAc-g-PSt)核壳结构复合微球.

　　实施例11还原响应性p(cpt-maa)纳米凝胶-6的制备将cpt-ss-m(50mg)，甲基丙烯酸(450mg)，甲叉双丙烯酰胺(88.2mg)和偶氮二异丁腈(17.6mg)，加入到干燥的50ml单颈圆底烧瓶中，接着加入40ml无水乙腈，超声使溶解。通氮气0.5小时以除去反应体系中的空气，接着将反应混合物加热至沸腾状态并保持2小时。待反应结束后，收集反应混合物，以1×104转/分钟的转速离心10分钟，得p(cpt-maa)纳米凝胶。接着，加入20ml乙腈，超声分散均匀，离心，重复此操作三次，获得较纯的黄的p(cpt-maa)前纳米凝胶。该方法下cpt-ss-m的接枝率为95.3±0.6％，马尔文粒度仪测得的该纳米凝胶的粒径为601±2nm，电位为-19.8±2.3mv。