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　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　物理结合的胶束释特点物理包埋法制备的胶束常常通过扩散作用释。一般来说，物理包埋法制备的胶束比化学结合法制备的胶束释更快，释速度与3 个因素有关:

　　(1)物与疏水核的相容性良好的胶束核与物相容性可明显地延缓物的释放。将PEO-b-P(Asp) 疏水核引入饱和脂肪酸，结果包载的脂肪族物两性霉素B 的溶血性降低，意味着物的释放速度变小。

　　(2)氢键作用力胶束核与物之间具有强的氢键作用力也可以延缓物释放。制备了PDLLA 区含有游离羧基的PEO-PDLLA 胶束，并发现随着游离羧基浓度提高，物载量提高而释速率降低，可能是因为胶束核和物的氢键作用力增强所致。

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　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-羧基

　　PLCL-PEG-NH2

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-Amine   LA:CL 50:50

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-氨基PLCL-PEG-Folate

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-Folate   LA:CL 50:50

　　PEO-b-PNIPAMPoly(ethyleneoxide-b-N-isopropylacrylamide)聚氧乙烯-b-聚N-异丙基丙烯酰胺

　　PEO-b-PnM

　　Poly(ethylene oxide-b-nitrobenzylmethacrylate)

　　聚氧乙烯-b-聚甲基丙烯酸苄

　　PEO-b-PPO