寮步PC+ABS塑料大量收购

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　3 牺牲硅胶骨架法牺牲硅胶骨架法是在本体聚合过程中, 于印迹过程完成后, 将硅胶作为牺牲材料 (Sacrificial material) 用氢氟酸 (HF) 洗去, 以得到形状较为规整的分子印迹聚合物的方法。 1 分子印迹技术的原理及特点 分子印迹技术是指将模板分子与选择好的功能单体通过一定作用形成主一客体复合物,然后加入一定量的交联剂和功能单体共同聚合成高分子聚合物。除去模板分子后,刚性聚合物中的空穴记录有模板分子的构型,且功能基团在空穴中的排列与模板分子互补,从而对特定的模板分子具有较高的识别能力,而达到分离混旋物的目的。分子印迹分离技术是一种有着专一选择性的新型分离技术。与天然抗体相比,具有高选择性、高强度(即耐热、耐有机溶剂、耐酸碱)、制备简单而且模板分子可回收和重复使用的特点。

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　　He等[6]以3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷 (KH-570) 修饰的纳米硅为载体材料, 甲基丙烯酸 (MAA) 为功能单体, 乙二醇二甲基丙烯酸酯 (EGDMA) 为交联剂, 通过表面接枝共聚法制备了天麻素 (GAS) SSMIP。该SSMIP对GAS具有良好的选择性和较快的结合动力学, 对竞争底物的选择性系数为3.455, 吸附在40min可达到平衡。Gao等[7]以丙基三甲氧基硅烷 (MPS) 作为媒介物, 首次将功能性高分子聚甲基丙烯酸 (PMAA) 接枝到微米级的硅胶粒子表面 (PMAA/SiO2) , 以肌酐为模板, 乙二醇缩水甘油醚 (EGGE) 为交联剂, 通过PMAA和肌酸酐分子间的氢键和静电作用制备肌酐印迹材料MIP-PMAA/SiO2。实验结果表明:MIP-PMAA/SiO2对肌酸酐具有良好的亲和力和较高的识别选择性;而PMAA/SiO2粒子对肌酸酐几乎不存在选择性识别。在碱性条件下PMAA/SiO2对肌酐和肌酸的选择性系数分别为1.23和1.30;而MIP-PMAA/SiO2对肌酐和肌酸的选择性系数显著增大, 分别为11.64和12.87, 显示出对肌酸酐的识别选择性和亲和力。

　　2 IIP-PEI/Si O2的合成过程合成复合材料PEI/Si O2的反应过程见参考文献。在PEI大分子接枝到硅胶表面后, 在水中充分膨胀, 对Cr3+产生了较强的螯合力。首先, 发生环氧氯丙烷与PEI链上的氨基的开环反应, 当Na OH加入时, ECH和PEI链的氨基发生脱氯化氢反应。用盐酸溶液去除模板离子, 形成IIP-PEI/Si O2。合成过程如示意图1所示。Cr3+溶液体积:5 m L, PEI 溶液体积: (a) 27.0 m L (b) 28.0 m L (c) 29.0 m L (d) 29.2 m L (e) 29.4 m L (f) 29.6 m L (g) 29.8 m L (h) 30.0 m L (i) 32.0 m L3.3 PEI/SiO 2和 IIP-PEI/Si O2的红外光谱