龙湖硅胶废品回收电话

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　P2VP-b-PMAAPoly(2-vinyl pyridine-b-methyl acrylicacid)

　　聚乙烯基吡啶-b-聚甲基丙烯酸

　　P2VPQ-b-PEO

　　Poly(N-methyl 2-vinyl pyridiniumiodide-b-ethylene oxide)

　　聚N-甲基乙烯基吡啶碘化物-b-聚氧乙烯

　　Poly(2-vinyl naphthalene-b- n-butylacrylate)P2VN-PMMA

　　Poly(2-vinyl naphthalene-b- methylmethacrylate)

　　P2VP-PMMA

　　Poly(2-vinyl pyridine-b-methylmethacrylate)

　　P4VP-PMMA

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　　Zhu等[16]在硅胶表面通过APTES和丙烯酰氯 (AC) 两步接枝, 以咪唑为模板, MAA为单体, EGDMA为交联剂制备了咪唑SSMIP (如图2所示) 。采用静态吸附、固相萃取 (SPE) 和液相谱 (HPLC) 研究SSMIP的吸附性能和选择性。结果表明, SSMIP和SSNIP (Non-imprinted polymer) 对咪唑的大吸附容量分别为312μmol/g和169μmol/g, 达到吸附平衡所需时间为30min, 其吸附过程符合拟二级动力学模型;与SSNIP相比, SSMIP表现出更高的吸附性能。将SSMIP用作固相萃取填料, 可以从溴化1-己基-3-甲基咪唑鎓 ([C6mim][Br]) 和2, 4-二氯苯酚 (2, 4-DCP) 的混合物中选择性分离咪唑, 对咪唑和[C6mim][Br]的回收率分别为97.6%~102.7%和12.2%~17.3%, 而2, 4-DCP在SSMIP-SPE萃取柱上没有保留。

　　PIB-b-PDMSPoly(isobutylene-b-dimethylsiloxane)

　　聚异丁烯-b-聚二甲基硅氧烷

　　PIB-b-PCL

　　Poly(isobutylene-b-ε-caprolactone)

　　聚异丁烯-b-聚已内酯

　　PIB-b-P4VP

　　Poly(isobutylene-b-4-vinyl pyridine)