揭西奶嘴硅胶长期回收

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　聚醋酸乙烯酯接枝聚苯乙烯(PVAc-g-PSt)复合微球:通过链转移自由基聚合和端基置换反应制备了苯乙烯单封端的 PVAc大分子单体,用凝胶渗透谱(GPC),傅里叶变换红外光谱(FTIR)等对大分子单体的分子量,分子量分布与结构组成进行了测定,发现PVAc 大分子单体的结构明确,分子量在104左右.以得到的PVAc大分子单体为反应性分散稳定剂,一定比例的乙醇/水为反应介质,采用分散共聚法制得了核为聚 苯乙烯(PSt),壳为聚醋酸乙烯酯(PVAc)大分子链的聚醋酸乙烯酯接枝聚苯乙烯(PVAc-g-PSt)核壳结构复合微球.

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　　在本研究中, 我们在硅胶颗粒表面采用的表面印迹技术改性:首先是功能大分子聚乙烯亚胺 (PEI) 通过耦合接枝法接枝到硅胶颗粒表面;其次, 采用Cr3+作为模板分子, 环氧氯丙烷作为交联剂, 合成出离子 印迹聚合 物 (IIP-PEI/Si O2) 。采用静态及动态法研究了IIP-PEI/Si O2对Cr3+的吸附性能。2.1 材料及仪器 硅胶 (120~160目, 粒径约为125 um, 孔径:6 nm, 孔体积:1.0 m L/g, 表面积:350 m2/g) 从大洋化学有限公司购买。PEI (Mw=1×104~2×104) 从强龙化学有限公司购买。

　　进一步优选地，所述原料的重量配比为:喜树碱前50份、甲基丙烯酸450份、交联剂55.6份、引发剂16.8份；喜树碱前:甲基丙烯酸的质量比为1:(4～19)；

　　喜树碱前:交联剂的质量比为50:(26.3～125)；

　　喜树碱前:引发剂的质量比为50:(8.4～33.6)。

　　进一步地，所述交联剂选自甲叉双丙烯酰胺、n,n'-双(丙烯酰)胱胺中一种或两种。