深圳ABS塑胶回收公司

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　Poly(methyl methacrylate-b-methacrylicacid)聚甲基丙烯酸甲酯-聚甲基丙烯酸PtBMA-b-PEO

　　Poly(t-butyl methacrylate-b-ethylene oxide)

　　聚甲基丙烯酸叔丁酯-b-聚氧乙烯

　　PMMA-b-PAA

　　Poly(methyl methacrylate-b-Acrylic Acid)

　　低浓度Cr3+的分离检测过程主要是依赖于可用的分离 /预浓缩材料及技术。预浓缩过程是进行痕量分析测定及分析的关键步骤。分子印迹技术对于合成对不同物质有接收键合位点的聚合物材料是一种的技术, 分子印迹聚合物在很多科技领域用于分子识别过程, 如固相萃取、谱分离、膜分离、感应器、物释放和催化过程, 等等。传统的分子印迹聚合物合成方法通常有如下几种。首先, 功能单体通过非共价或共价作用在模板分子周围进行装配。接下来, 单体 - 模板配合物及交联剂发生共聚。聚合完成后, 移去模板分子, 聚合物内部留下了与模板分子功能基团在分子尺寸、形状及空间排序上互补的分子孔穴。, 得到的整块材料通过碾磨及过滤得到需要的粒径。离子印迹聚合物的合成过程与分子印迹的方法相同, 但利用离子作为模板分子。采用传统方法合成的分子印迹聚合物有一些缺点, 如印迹聚合物通常较厚, 单位体积聚合物上的分子识别点相对较少, 模板分子在基质中镶嵌较深, 因此洗脱较困难。模板分子的扩散阻力较大, 因此传质速度较低, 模板分子与识别点的结合困难。为了有效改善这些缺点, 表面印迹技术在近几年发展较为迅速。表面印迹技术主要分为两类: (1) 基于乳化及沉淀聚合法的表面印迹技术; (2) 硅胶颗粒表面改性的表面印迹技术。在第二个方法中, 硅胶表面接枝聚 合法被广 泛研究。Sulitzky等采用“接枝于”的方法将分子印迹聚合物薄膜接枝于硅胶表面。硅胶颗粒表面薄聚合物膜中印迹孔穴分布对于识别点与模板分子结合是十分有利的。

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　　进一步地，所述的喜树碱前凝胶满足以下至少一项:所述反应溶剂为乙腈；

　　所述保护气氛为氮气氛；

　　将反应混合物加热至沸腾状态进行反应；

　　反应时间为2小时；

　　待反应结束后，收集反应混合物，离心，即得喜树碱前凝胶；

　　优选地，以1×104转/分钟的转速离心10分钟；

　　还包含如下纯化步骤:取喜树碱前凝胶，加入乙腈，超声分散均匀，离心；

　　实施例12还原响应性p(cpt-maa)纳米凝胶-7的制备将cpt-ss-m(50mg)，甲基丙烯酸(450mg)，甲叉双丙烯酰胺(125mg)和偶氮二异丁腈(18.8mg)，加入到干燥的50ml单颈圆底烧瓶中，接着加入40ml无水乙腈，超声使溶解。通氮气0.5小时以除去反应体系中的空气，接着将反应混合物加热至沸腾状态并保持2小时。待反应结束后，收集反应混合物，以1×104转/分钟的转速离心10分钟，得p(cpt-maa)纳米凝胶。接着，加入20ml乙腈，超声分散均匀，离心，重复此操作三次，获得较纯的黄的p(cpt-maa)前纳米凝胶。该方法下cpt-ss-m的接枝率为95.4±0.9％，马尔文粒度仪测得的该纳米凝胶的粒径为765±3nm，电位为-20.0±1.3mv。