天河注塑PS塑料回收行情

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PS-PEtA-PS

　　Poly(styrene-b-ethyl acrylate-b-styrene)

　　PS-PMMA-PSPoly(styrene-b-methylmethacrylate-b-styrene)

　　PS-PEO-PS

　　Poly(styrene-b-ethylene oxide-b-styrene)

　　负载DOX**的MOF纳米粒子高核过渡—稀土混金属纳米团簇

　　苯硒酚修饰金纳米团簇（Se_Au NCs）

　　黄原酸功能化亲水聚合物修饰荧光金纳米团簇

　　Cd修饰的Au19Cd2(SR)16

　　钴/金双金属纳米团簇(GSH@Co-AuNCs)

　　GSH包覆纳米团簇改性N-(4-氨基丁基)-乙基异鲁米诺(ABEI)的复合材料GSH@Co AuNCs ABEI

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　　利用树状聚合物单分子制备胶束树状聚合物是两亲性分子，表面亲水，内部疏水，作用类似于胶束，每个胶束由单分子树状聚合物构成，因而称为单分子胶束。树状聚合物具有以下优点:能在较大的范围内和多种溶剂中保持分散状态，不聚集，不受临界胶束浓度的影响。以甲氨蝶呤(MTX) 为模型物，研究了聚酰胺-胺型(PAMAM)树状大分子与MTX的复合及体外释放。该复合物在pH = 7.4 ，10 m mol/L Tris-HCl中稳定,表现出明显的缓释效果。当溶液中的离子强度增加时,会破坏PAMAM-MTX复合物的稳定性,缓释作用部分或失去, 说明PAMAM树状大分子与MTX之间的相互作用属于静电作用。

　　硅表面分子印迹聚合物 (SSMIP) 是在硅材料表面制备的对目标分子具有高选择性和高吸附量的分子印迹聚合物。SSMIP一般具有以下优势: (1) 通过硅胶能够得到尺寸和形状可控、单分散性好的MIP; (2) 硅材料的力学稳定性和热稳定性较好, 能够提高MIP的力学性能和耐用性; (3) 由于印迹只发生在硅材料的表面, 可以有效减少包埋现象, 有利于模板分子的洗脱和识别, 提高了模板分子的利用率[1,2]。因此, SSMIP引起了研究者的广泛关注。1949年Dickey[3]用染料甲基橙作为模板分子, 制得对甲基橙吸附能力比乙基橙高2倍的吸附材料, 这项研究揭开了SSMIP的崭新一页。至今, 关于SSMIP的研究文献达上千篇, 近年来更是呈现急剧增加的态势。本文着重综述SSMIP制备方法的研究进展, 并简要介绍SSMIP的应用情况。