道滘LLDPE回收电话
1960年,出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。
1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。
1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。
1976年,美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。
1989年,日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术(EUVL)。
1990年后,开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。
1992年,IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂,而且在193 nm有较好的透光性 。
高量子产率金纳米团簇(CR-AuNCs)水溶性手性金纳米团簇(L-NIBC-AuNCs和D-NIBC-AuNCs)平均粒径小于2 nm
金纳米团簇-NFC复合物siRNA(GNC–siRNA)
剥离型环氧树脂/纳米复合材料
小粒径四氧化三铁纳米团簇
聚丙烯酸(PAA)修饰四氧化三铁纳米团簇(Fe3O4NCs)
Co-AuNCs ABEI@ Oxi-Dex纳米复合材料[Au8Ag57(Dppp)4(C6H11S)32Cl2]Cl三维(3D)八聚体结构
(ATT)保护的AuNCs
蛋氨酸保护的AuNCs
酶-金属亚纳米团簇复合物
脂肪酶-钯亚纳米团簇复合催化剂(0.8Pd/CALB-Pluronic)
膜分离技术在水处理、化工、医疗等领域具有广泛的用途。本文以聚砜(PSF)膜为研究对象,将6-葡萄酸内酯和聚甲基丙烯酸固定在PSF膜表面,分别制备了一种抗污染膜和一种离子交换膜,并对膜的对蛋白吸附性能进行了研究。
道滘LLDPE回收电话
PS-PEtA-PS
Poly(styrene-b-ethyl acrylate-b-styrene)
PS-PMMA-PSPoly(styrene-b-methylmethacrylate-b-styrene)
PS-PEO-PS
Poly(styrene-b-ethylene oxide-b-styrene)
HS-PCL-OHThiol-Hydroxy-terminatedpoly(ε-caprolactone)NH2-PLA-OH
Amino-Hydroxy terminated polylactide
NH2-PCL-OH
Amino-Hydroxy terminatedPoly(ε-caprolactone)