揭西PP长期回收

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　He等[13]通过表面印迹和纳米级尺寸两种有效的方法来解决模板分子与印迹聚合物间传质的困难, 将乙烯改性纳米二氧化硅颗粒分散在水介质中, 以溶菌酶为模板分子, 通过自由基引发低浓度单体 (总单体浓度为0.4% (质量分数) , 低于常用浓度的1/10) 的接枝聚合, 制备了溶菌酶SSMIP。该SSMIP达到饱和吸附仅需5min, 对溶菌酶表现出的识别特性。该研究根据目标蛋白的性质选择合适的单体和对载体表面进行合理的化学设计, 为蛋白表面纳米印迹聚合物材料的制备提供了一种可借鉴的方法。

　　进一步地，所述引发剂选自偶氮类引发剂。优选地，所述引发剂为偶氮二异丁腈。

　　进一步地，所述的喜树碱前凝胶满足以下至少一项:

　　喜树碱前的接枝率为75.5～95.4％；

　　所述喜树碱前凝胶的粒径为331～1205nm；

　　所述喜树碱前凝胶的电位为-21.5～-17.4mv。

　　进一步地，所述的喜树碱前凝胶由下述方法制备得到:取喜树碱前、甲基丙烯酸、交联剂和引发剂，分散于反应溶剂中，于保护气氛下反应，即得。

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　　纳米管印迹膜一种印迹孔穴具有纳米管形状的分子印迹聚合物膜。纳米管印迹膜的出现标志着分子印迹技术又有了新的突破。这种膜的制备是由王小如研究组首先提出的,他们将表面引发原子转移自由基聚合(ATRP)和分子印迹技术原理相结合,使用多孔阳氧化铝薄膜(AAO)为载体膜并用32氨基丙基三甲氧硅烷进行表面硅烷化处理,将ATRP引发剂22溴222甲基丙酰溴接枝到AAO的表面,然后与金属有机催化剂1、4、8、112四氮杂萘并苯铜、功能单体42乙烯吡啶、印迹分子β2雌二醇或孕酮和交联剂的乙腈溶液混合,在N2保护下进行热聚合得到聚合物膜,除去印迹分子后形成纳米管印迹膜。结果表明,这种结合位点具有纳米级的孔径和几纳米管壁厚度的印迹膜对目标分子具有高选择性、高亲和性、高容量和的结合能力。

　　在本研究中, 我们在硅胶颗粒表面采用的表面印迹技术改性:首先是功能大分子聚乙烯亚胺 (PEI) 通过耦合接枝法接枝到硅胶颗粒表面;其次, 采用Cr3+作为模板分子, 环氧氯丙烷作为交联剂, 合成出离子 印迹聚合 物 (IIP-PEI/Si O2) 。采用静态及动态法研究了IIP-PEI/Si O2对Cr3+的吸附性能。2.1 材料及仪器 硅胶 (120~160目, 粒径约为125 um, 孔径:6 nm, 孔体积:1.0 m L/g, 表面积:350 m2/g) 从大洋化学有限公司购买。PEI (Mw=1×104~2×104) 从强龙化学有限公司购买。