常平亚克力边角料回收厂家

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　采用自由基聚合的方法，将硅烷改性CNCs通过共价结合的方式引入到聚N，N-二甲基丙烯酰胺（PD-MA）水凝胶中，制备了一种CNCs-PDMA纳米复合水凝胶，研究发现合成的纳米复合水凝胶具有力学韧性和可拉伸性，具有比纯PDMA水凝胶更有效的能量耗散机制。CNCs（表面醛基化）增强的POEGMA复合水凝胶，该复合水凝胶在结构上具有各向异性，其杨氏模量在正交方向上具有明显的变化，因此该复合水凝胶可作为定向组织工程的有效仿生支架。

　　Poly(methyl methacrylate-b-ε-caprolactone)聚甲基丙烯酸-b-聚已内酯

　　PMAA-b-PCL

　　Poly(methyl acrylate-b-caprolactone)

　　聚甲基丙烯酸-b-聚已内酯

　　PBd-b-PtBuA

　　Poly(butadiene(1,2 addition)-b-t-butylacrylate

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　　本发明提供了喜树碱前凝胶，它是包含喜树碱前、甲基丙烯酸、交联剂和引发剂的原料通过聚合制备得到的，其中，所述喜树碱前的结构如式ⅰ所示:进一步地，所述的喜树碱前凝胶满足以下至少一项:

　　所述原料的重量配比为:喜树碱前25～100份、甲基丙烯酸400～475份、交联剂26.3～125份、引发剂11.2～22.2份；

　　优选地，所述原料的重量配比为:喜树碱前50～100份、甲基丙烯酸400～475份、交联剂26.3～125份、引发剂11.2～22.2份；

　　硅表面分子印迹聚合物 (SSMIP) 是在硅材料表面制备的对目标分子具有高选择性和高吸附量的分子印迹聚合物。SSMIP一般具有以下优势: (1) 通过硅胶能够得到尺寸和形状可控、单分散性好的MIP; (2) 硅材料的力学稳定性和热稳定性较好, 能够提高MIP的力学性能和耐用性; (3) 由于印迹只发生在硅材料的表面, 可以有效减少包埋现象, 有利于模板分子的洗脱和识别, 提高了模板分子的利用率[1,2]。因此, SSMIP引起了研究者的广泛关注。1949年Dickey[3]用染料甲基橙作为模板分子, 制得对甲基橙吸附能力比乙基橙高2倍的吸附材料, 这项研究揭开了SSMIP的崭新一页。至今, 关于SSMIP的研究文献达上千篇, 近年来更是呈现急剧增加的态势。本文着重综述SSMIP制备方法的研究进展, 并简要介绍SSMIP的应用情况。