龙岗ABS破碎料回收行情

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　2 IIP-PEI/Si O2的合成过程合成复合材料PEI/Si O2的反应过程见参考文献。在PEI大分子接枝到硅胶表面后, 在水中充分膨胀, 对Cr3+产生了较强的螯合力。首先, 发生环氧氯丙烷与PEI链上的氨基的开环反应, 当Na OH加入时, ECH和PEI链的氨基发生脱氯化氢反应。用盐酸溶液去除模板离子, 形成IIP-PEI/Si O2。合成过程如示意图1所示。Cr3+溶液体积:5 m L, PEI 溶液体积: (a) 27.0 m L (b) 28.0 m L (c) 29.0 m L (d) 29.2 m L (e) 29.4 m L (f) 29.6 m L (g) 29.8 m L (h) 30.0 m L (i) 32.0 m L3.3 PEI/SiO 2和 IIP-PEI/Si O2的红外光谱

　　聚苯乙烯-b-聚丙烯酸铯PS-b-PEOPoly(styrene-b-ethylene oxide)

　　聚苯乙烯-b-聚氧乙烯

　　PS-b-PMAA

　　Poly(styrene-b-methacrylic acid)

　　聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸

　　PS-b-PANa

　　Poly(styrene-b-sodium acrylate)

　　龙岗ABS破碎料回收行情

　　聚氧乙烯-b-聚甲基丙烯酸叔丁酯PEO-b-PMOXZPoly(ethylene oxide-b-2-methyl oxazoline)

　　聚氧乙烯-b-聚甲基恶唑啉

　　PEO-b-PGD

　　Poly(ethylene oxide-b-glycolide)

　　聚氧乙烯-b-聚丙交酯

　　PIB-b-PAA

　　Poly(styrene-b-cyclohexyl methacrylate)聚苯乙烯-b-甲基丙烯酸环己酯

　　PS-b-PEMA

　　Poly(styrene-b-ethyl methacrylate)

　　聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸乙酯

　　PS-b-PLA

　　Poly(styrene-b-lactide)