大鹏新聚氯乙烯PVC回收多少钱一吨

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　在本研究中, 我们在硅胶颗粒表面采用的表面印迹技术改性:首先是功能大分子聚乙烯亚胺 (PEI) 通过耦合接枝法接枝到硅胶颗粒表面;其次, 采用Cr3+作为模板分子, 环氧氯丙烷作为交联剂, 合成出离子 印迹聚合 物 (IIP-PEI/Si O2) 。采用静态及动态法研究了IIP-PEI/Si O2对Cr3+的吸附性能。2.1 材料及仪器 硅胶 (120~160目, 粒径约为125 um, 孔径:6 nm, 孔体积:1.0 m L/g, 表面积:350 m2/g) 从大洋化学有限公司购买。PEI (Mw=1×104~2×104) 从强龙化学有限公司购买。

　　2 IIP-PEI/Si O2的合成过程合成复合材料PEI/Si O2的反应过程见参考文献。在PEI大分子接枝到硅胶表面后, 在水中充分膨胀, 对Cr3+产生了较强的螯合力。首先, 发生环氧氯丙烷与PEI链上的氨基的开环反应, 当Na OH加入时, ECH和PEI链的氨基发生脱氯化氢反应。用盐酸溶液去除模板离子, 形成IIP-PEI/Si O2。合成过程如示意图1所示。Cr3+溶液体积:5 m L, PEI 溶液体积: (a) 27.0 m L (b) 28.0 m L (c) 29.0 m L (d) 29.2 m L (e) 29.4 m L (f) 29.6 m L (g) 29.8 m L (h) 30.0 m L (i) 32.0 m L3.3 PEI/SiO 2和 IIP-PEI/Si O2的红外光谱

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　　在不同条件下合成出离子印迹材料IIP-PEI/SiO2, 以及主要的印迹条件, 如模板离子的浓度, 交联剂的比率等的影响。2.4 IIP-PEI/SiO2对Cr3+的静态吸附 2.4.1 动力吸附曲线的测定 在锥形瓶中加入0.2 g的IIP-PEI/SiO 2及100 m L 100 mg·L-1 (C0) 的Cr3+溶液。将锥形瓶放入到预设好温度及p H的振荡器中。在不同的时间测定Cr3+的浓度 (Ct) 。按照式 (1) 计算吸附量:

　　纳米管印迹膜一种印迹孔穴具有纳米管形状的分子印迹聚合物膜。纳米管印迹膜的出现标志着分子印迹技术又有了新的突破。这种膜的制备是由王小如研究组首先提出的,他们将表面引发原子转移自由基聚合(ATRP)和分子印迹技术原理相结合,使用多孔阳氧化铝薄膜(AAO)为载体膜并用32氨基丙基三甲氧硅烷进行表面硅烷化处理,将ATRP引发剂22溴222甲基丙酰溴接枝到AAO的表面,然后与金属有机催化剂1、4、8、112四氮杂萘并苯铜、功能单体42乙烯吡啶、印迹分子β2雌二醇或孕酮和交联剂的乙腈溶液混合,在N2保护下进行热聚合得到聚合物膜,除去印迹分子后形成纳米管印迹膜。结果表明,这种结合位点具有纳米级的孔径和几纳米管壁厚度的印迹膜对目标分子具有高选择性、高亲和性、高容量和的结合能力。