从化PE塑胶原料回收厂家

　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　试验例2体外细胞毒性测试选择人肝癌细胞hepg2和成纤维细胞l929以研究纳米凝胶的细胞毒性。将细胞在含有10％fbs和抗生素(青霉素和链霉素，100u/ml)的dmem培养基中，于37℃在含有5％co2的潮湿气氛中温育。

　　使用mtt测定法在l929细胞和hepg2细胞上测试细胞毒性。简而言之，将对数期的细胞接种到96孔板中。在100μldmem中孵育24小时后，将在100μldmem中具有不同浓度的一系列p(cpt-maa)前纳米凝胶(根据实施例6制备)加入每个孔中并进一步孵育24,48和72小时。在预定时间点，用200μl新鲜dmem替换培养基，加入20μlmtt溶液(5mg/ml，在生理盐水中)。进一步温育4小时后，弃去培养基并用150μldmso替换。摇动后，通过酶标仪在570nm处测量每个孔的光密度(od)。结果在六个单独的实验中取平均值，并表示为平均值±sd。细胞活力(cv)计算如下等式:cv(％)＝od(处理的)/od(未处理的)×100％。此外，如上所述评估空白纳米凝胶(根据实施例16制备)的细胞毒性。

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　　Au24（SCH2Ph-tBu）20金纳米团簇Au44(SCH3)28手性金纳米团簇

　　刀豆求蛋白修饰金纳米团簇

　　半胱氨酸修饰金纳米团簇Au25Cys18

　　DHLA-AuNCs二氢硫辛酸保护金纳米团簇

　　巯基琥珀酸保护金纳米团簇

　　聚(N-乙烯基咪唑)配体金纳米团簇

　　树枝状聚合物PAMAM修饰金纳米团簇

　　进一步地，所述的喜树碱前凝胶满足以下至少一项:所述反应溶剂为乙腈；

　　所述保护气氛为氮气氛；

　　将反应混合物加热至沸腾状态进行反应；

　　反应时间为2小时；

　　待反应结束后，收集反应混合物，离心，即得喜树碱前凝胶；

　　优选地，以1×104转/分钟的转速离心10分钟；

　　还包含如下纯化步骤:取喜树碱前凝胶，加入乙腈，超声分散均匀，离心；