惠阳吸塑废料回收厂家

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　结果如图9所示，可以看出p(cpt-maa)前纳米凝胶(38.9％)和游离cpt(37.6％)处理后，hepg2细胞凋亡率(包括早期凋亡和晚期凋亡)显著高于pbs；而空白pmaa纳米凝胶和不含ss的p(cpt-maa)纳米凝胶对hepg2的细胞凋亡率分别仅为5.1％和6.8％。以上实验结果表明，pmaa纳米凝胶可以有效地将cpt递送至癌细胞并发挥其抗肿瘤活性。试验例5本发明纳米凝胶抑制肿瘤生长的体内实验

　　硅表面分子印迹聚合物 (SSMIP) 是在硅材料表面制备的对目标分子具有高选择性和高吸附量的分子印迹聚合物。SSMIP一般具有以下优势: (1) 通过硅胶能够得到尺寸和形状可控、单分散性好的MIP; (2) 硅材料的力学稳定性和热稳定性较好, 能够提高MIP的力学性能和耐用性; (3) 由于印迹只发生在硅材料的表面, 可以有效减少包埋现象, 有利于模板分子的洗脱和识别, 提高了模板分子的利用率[1,2]。因此, SSMIP引起了研究者的广泛关注。1949年Dickey[3]用染料甲基橙作为模板分子, 制得对甲基橙吸附能力比乙基橙高2倍的吸附材料, 这项研究揭开了SSMIP的崭新一页。至今, 关于SSMIP的研究文献达上千篇, 近年来更是呈现急剧增加的态势。本文着重综述SSMIP制备方法的研究进展, 并简要介绍SSMIP的应用情况。

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　　PEO-b-PNIPAMPoly(ethyleneoxide-b-N-isopropylacrylamide)聚氧乙烯-b-聚N-异丙基丙烯酰胺

　　PEO-b-PnM

　　Poly(ethylene oxide-b-nitrobenzylmethacrylate)

　　聚氧乙烯-b-聚甲基丙烯酸苄

　　PEO-b-PPO

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-羧基

　　PLCL-PEG-NH2

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-Amine   LA:CL 50:50

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-氨基PLCL-PEG-Folate

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-Folate   LA:CL 50:50