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1960年,出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。
1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。
1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。
1976年,美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。
1989年,日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术(EUVL)。
1990年后,开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。
1992年,IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂,而且在193 nm有较好的透光性 。
避免与易燃物接触:PPMA浆料具有易燃性,应远离明火和高温。CNCs基水凝胶的制备方法:
由于长径比小、结构刚性强,CNCs本身缺乏缠结形成机械性能稳定的水凝胶的能力,因此更适合作为增强剂通过表面化学改性或者引入交联网络以获得机械性能稳定的CNCs水凝胶。
具体包括以下两种方法。
1、 物理交联
是通过可逆的物理相互作用(非共价键)结合在一起。用冻融技术制备了CNCs/PVA(聚乙烯醇)复合水凝胶。研究发现,CNCs可以作为成核位点,有利于改善复合水凝胶力学性能和阻隔性能。研究了CNCs表面电荷和长径比对CNCs/PAM(聚丙烯酰胺)复合水凝胶增强能力的影响。结果表明:表面电荷浓度越高,分散性越好,越有利于应力有效的传递;CNCs的长径比越高,越有利于机械加固。
PMA在医疗领域的应用也日益广泛。由于其制成的聚合物材料具有良好的生物相容性和透明度,PMA被用于制造多种医疗器械和用品,如隐形眼镜、牙科填充材料和人工关节等。是在隐形眼镜的制造中,PMA制成的镜片具有的透氧性和舒适性,为用户提供了的佩戴体验。在电子工业中,PMA被用作电器元件的保护涂层。其的缘性能和耐化学腐蚀性,使得PMA成为电子元件保护涂层的理想选择。通过在电路板和其他电子元件表面涂覆PMA,可以有效环境因素对电子元件的损害,延长其使用寿命。
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PEI/SiO 2和IIP-PEI/Si O2的红外光谱图如图3所示。在1212 cm-1处的吸收峰在印迹之后明显增强, 这是叔氨基的特征吸收峰C-N。在3641 cm-1和1701 cm-1的吸收峰, 即N-H的吸收峰, 消失。这些峰的消失说明PEI链的伯胺及叔胺上的H原子被环氧氯丙烷的亚甲基取代 (通过开环反应及脱氯化氢反应) 。也就是说, 的PEI链上的伯胺及仲胺基变为了叔氨基。同时, -OH键的震动吸收峰在3304 cm-1处消失, 进一步说明环氧氯丙烷的开环反应发生了。这充分说明了PEI大分子之间的交联反应在环氧氯丙烷的交联作用下发生了, 在硅胶颗粒表面形成了一层离子印迹聚合物, 获得了离子印迹聚合物IIP-PEI/Si O2。
高量子产率金纳米团簇(CR-AuNCs)水溶性手性金纳米团簇(L-NIBC-AuNCs和D-NIBC-AuNCs)平均粒径小于2 nm
金纳米团簇-NFC复合物siRNA(GNC–siRNA)
剥离型环氧树脂/纳米复合材料
小粒径四氧化三铁纳米团簇
聚丙烯酸(PAA)修饰四氧化三铁纳米团簇(Fe3O4NCs)