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1960年,出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。
1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。
1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。
1976年,美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。
1989年,日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术(EUVL)。
1990年后,开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。
1992年,IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂,而且在193 nm有较好的透光性 。
反应率:n (ECH) ∶n (N) =0.51;反应温度:20 ℃;反应时间:60 min反应率:n (Cr3+) ∶n (N) =0.20;反应温度:20 ℃;反应时间:60 min 从图9中可以看出, 饱和吸附量随着Cr3+的量而增加, 这可能是因为当Cr3+的用量增加, Si O2表面的聚合物印迹孔穴增加, 所以IIP-PEI/Si O2的饱和吸附量增加。当n (Cr3+) ∶n (N) =0.2时, 出现了一个转折点 , 在这个转 折点之后 , IIP-PEI/Si O2的吸附量增加。这表明在n (Cr3+) ∶n (N) =0.33的条件下, PEI/Si O2上的N原子都与Cr3+发生了螯合, 在印迹过程中形成了大量的孔穴, 因此, 当Cr3+离子继续增加时, 孔穴量增加。Cr3+和N原子的理 论摩尔比 为0.17, 当PEI/Si O2的N原子与与Cr3+配位 (PEI与Cr3+有六个配体) , 0.2到0.17的偏差归因于当平衡状态下螯合时, 溶液中仍然存在Cr3+离子。
实施例6~9中引发剂的用量分别占原料总质量的3%、3%、2%、4%。经比较可以看出,随着引发剂用量的增加,制备得到p(cpt-maa)纳米凝胶的粒径随之增大,接枝率也有所提升。实施例10还原响应性p(cpt-maa)纳米凝胶-5的制备
将cpt-ss-m(50mg),甲基丙烯酸(450mg),甲叉双丙烯酰胺(26.3mg)和偶氮二异丁腈(15.8mg),加入到干燥的50ml单颈圆底烧瓶中,接着加入40ml无水乙腈,超声使溶解。通氮气0.5小时以除去反应体系中的空气,接着将反应混合物加热至沸腾状态并保持2小时。待反应结束后,收集反应混合物,以1×104转/分钟的转速离心10分钟,得p(cpt-maa)纳米凝胶。接着,加入20ml乙腈,超声分散均匀,离心,重复此操作三次,获得较纯的黄的p(cpt-maa)前纳米凝胶。该方法下cpt-ss-m的接枝率为90.2±0.6%,马尔文粒度仪测得的该纳米凝胶的粒径为385±6nm,电位为-19.5±0.9mv。
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Poly(styrene)-block-poly(ethylene glycol)聚苯乙烯-b-聚乙二醇
PDLLA-b-PAA
Poly(D,L-lactide-block-acrylic acid)
DL型聚乳酸-b-聚丙烯酸
PGA-PEG-PGA
Polyglycolide-block-poly(ethyleneglycol)-block-polyglycolide
Poly(styrene-b-2-hydroxyethyl methacrylate)聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸羟乙酯
PS-b-PHPMA
Poly(styrene-b-2-hydroxypropylmethacrylate)
聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸羟丙酯
PS-b-P4HOS
Poly(styrene-b-4-hydroxyl styrene)