五桂山赛钢塑料回收行情

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　He等[13]通过表面印迹和纳米级尺寸两种有效的方法来解决模板分子与印迹聚合物间传质的困难, 将乙烯改性纳米二氧化硅颗粒分散在水介质中, 以溶菌酶为模板分子, 通过自由基引发低浓度单体 (总单体浓度为0.4% (质量分数) , 低于常用浓度的1/10) 的接枝聚合, 制备了溶菌酶SSMIP。该SSMIP达到饱和吸附仅需5min, 对溶菌酶表现出的识别特性。该研究根据目标蛋白的性质选择合适的单体和对载体表面进行合理的化学设计, 为蛋白表面纳米印迹聚合物材料的制备提供了一种可借鉴的方法。

　　PBd-PS-PBd

　　Polybutadiene(1,4-addition)-b-Polystyrene-b-Polybutadiene(1,4-addition)

　　PEO-PS-PEO

　　Poly(ethylene oxide-b-styrene-b-ethyleneoxide)PEO-PLA-PEO

　　Poly(ethylene oxide-b-lactide-b-ethyleneoxide)

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　　聚苯乙烯-b-聚丙烯酸铯PS-b-PEOPoly(styrene-b-ethylene oxide)

　　聚苯乙烯-b-聚氧乙烯

　　PS-b-PMAA

　　Poly(styrene-b-methacrylic acid)

　　聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸

　　PS-b-PANa

　　Poly(styrene-b-sodium acrylate)

　　Poly(styrene-b-2-hydroxyethyl methacrylate)聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸羟乙酯

　　PS-b-PHPMA

　　Poly(styrene-b-2-hydroxypropylmethacrylate)

　　聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸羟丙酯

　　PS-b-P4HOS

　　Poly(styrene-b-4-hydroxyl styrene)