东莞港POM塑胶高价上门收购

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　HS-PCL-OHThiol-Hydroxy-terminatedpoly(ε-caprolactone)NH2-PLA-OH

　　Amino-Hydroxy terminated polylactide

　　NH2-PCL-OH

　　Amino-Hydroxy terminatedPoly(ε-caprolactone)

　　Poly(dimethylsiloxane-b-lactide)

　　PCL-PLA

　　Poly(ε-caprolactone-b-lactide)

　　PtBuA-PS-PtBuA

　　Poly(t-butyl acrylate)-b-Polystyrene-b-Poly(t-butylacrylate)PMMA-PMAA-PMMA

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　　He等[6]以3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷 (KH-570) 修饰的纳米硅为载体材料, 甲基丙烯酸 (MAA) 为功能单体, 乙二醇二甲基丙烯酸酯 (EGDMA) 为交联剂, 通过表面接枝共聚法制备了天麻素 (GAS) SSMIP。该SSMIP对GAS具有良好的选择性和较快的结合动力学, 对竞争底物的选择性系数为3.455, 吸附在40min可达到平衡。Gao等[7]以丙基三甲氧基硅烷 (MPS) 作为媒介物, 首次将功能性高分子聚甲基丙烯酸 (PMAA) 接枝到微米级的硅胶粒子表面 (PMAA/SiO2) , 以肌酐为模板, 乙二醇缩水甘油醚 (EGGE) 为交联剂, 通过PMAA和肌酸酐分子间的氢键和静电作用制备肌酐印迹材料MIP-PMAA/SiO2。实验结果表明:MIP-PMAA/SiO2对肌酸酐具有良好的亲和力和较高的识别选择性;而PMAA/SiO2粒子对肌酸酐几乎不存在选择性识别。在碱性条件下PMAA/SiO2对肌酐和肌酸的选择性系数分别为1.23和1.30;而MIP-PMAA/SiO2对肌酐和肌酸的选择性系数显著增大, 分别为11.64和12.87, 显示出对肌酸酐的识别选择性和亲和力。

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-羧基

　　PLCL-PEG-NH2

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-Amine   LA:CL 50:50

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-氨基PLCL-PEG-Folate

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-Folate   LA:CL 50:50