石龙PC板材回收公司

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　Poly(ethylene oxide-b-acrylamide)聚氧乙烯-b-聚丙烯酰胺PEO-b-PTMEG

　　Poly(ethylene oxide-b-butylene oxide)

　　聚氧乙烯-b-聚氧化丁烯

　　PEO-b-PCL

　　Poly(ethylene oxide-b-ε-caprolactone)

　　PBd-b-PLLAPoly(butadiene(1,2 addition)-b-lactide)

　　聚丁二烯-b-聚乳酸

　　PBd-b-PDLLA

　　Poly(butadiene(1,2 addition)-b-D,Llactide)

　　聚丁二烯-b-聚乳酸

　　PBd-b-P4VP

　　Poly(butadiene(1,4 addition)-b-4-vinylpyridine)

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　　在不同条件下合成出离子印迹材料IIP-PEI/SiO2, 以及主要的印迹条件, 如模板离子的浓度, 交联剂的比率等的影响。2.4 IIP-PEI/SiO2对Cr3+的静态吸附 2.4.1 动力吸附曲线的测定 在锥形瓶中加入0.2 g的IIP-PEI/SiO 2及100 m L 100 mg·L-1 (C0) 的Cr3+溶液。将锥形瓶放入到预设好温度及p H的振荡器中。在不同的时间测定Cr3+的浓度 (Ct) 。按照式 (1) 计算吸附量:

　　从结果可以看出，在没有gsh或低gsh含量(2μm)的条件下，三种ph条件下物的释放的均比较缓慢，48h时喜树碱的累积释放速率不超过10％。然而，当处于更高含量的gsh(2mm或10mm)中时，喜树碱的释放显著加快，其在48小时后达到25.0％或64.9％(ph＝7.4)、50.9％或87.7％(ph＝5.0)。ph6.4条件下的喜树碱的累计释放速率略高于ph7.4，但低于ph5.0。考虑到肿瘤微环境与正常生理状况的显著差异，ph7.4或6.4的低释放率和低gsh含量(模拟正常组织和肿瘤组织微环境)有利于保持纳米凝胶稳定，而高释放率在ph5.0和高含量的gsh(模拟肿瘤细胞微环境)有助于释放癌细胞中的cpt，从而改善抗癌作用。