黄江TPU原料上门收购

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-叶酸Hyaluronic acid-SH

　　Hyaluronic acid-Thiol

　　透明质酸-巯基

　　Gelatin-SH

　　Gelatin-Thiol

　　PAA-b-PAMD

　　Poly(acrylic acid-b-acrylamide)

　　丙烯酸甲酯是生产丙烯酸酯类粘合剂的关键原料。这类粘合剂具有固化、强度高、耐候性好等优点，广泛应用于建筑、木工、包装和电子工业中。是在汽车制造中，PMA基粘合剂用于粘接车身部件，提高了车辆的结构强度和耐用性。在纺织和皮革工业中，PMA也有其用武之地。它可以用于生产纺织品整理剂和皮革涂饰剂，改善纺织品和皮革的手感、光泽和耐磨性。例如，用PMA制成的涂饰剂可以使皮革表面更加光滑，增加其耐用性和美观度。

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　　PS-b-PnBuMAPoly(styrene-b-n-butyl methacrylate)

　　聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸丁酯

　　PS-b-PtBuOS

　　Poly(styrene-b-t-butoxystyrene)

　　聚苯乙烯-b-聚丁氧基苯

　　PS-b-PtBuMA

　　Poly(styrene-b-t-butyl methacrylate)

　　He等[13]通过表面印迹和纳米级尺寸两种有效的方法来解决模板分子与印迹聚合物间传质的困难, 将乙烯改性纳米二氧化硅颗粒分散在水介质中, 以溶菌酶为模板分子, 通过自由基引发低浓度单体 (总单体浓度为0.4% (质量分数) , 低于常用浓度的1/10) 的接枝聚合, 制备了溶菌酶SSMIP。该SSMIP达到饱和吸附仅需5min, 对溶菌酶表现出的识别特性。该研究根据目标蛋白的性质选择合适的单体和对载体表面进行合理的化学设计, 为蛋白表面纳米印迹聚合物材料的制备提供了一种可借鉴的方法。