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　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　3 分子印迹技术的膜和材料制备方面的应用3.1 新的膜制备技术 (1)多层自组装膜 通过化合物分子之间不同的作用力结合而成。这种作用力主要包括共价或配位作用、氢键、静电力、疏水作用力、π2π堆积作用以及阳离子π吸附作用。多层自组装印迹膜是在印迹聚合物表面通过不同的作用力结合形成膜,然后反复在聚合物混合溶液中进行自组装,形成多层膜结构,将印迹分子洗脱,得到多层自组装印迹膜。自组装方法包括共价(或配位)自组装、氢键自组装、静电自组装。张希等报道了用光交联法和多层膜自组装方法制备的以5、10、15、202四甲基氨基苯21H、23H卟琳为印迹分子的多层自组装印迹膜,与其他方法制备的印迹膜相比具有较高的识别能力。

　　Poly(methyl methacrylate-b-ε-caprolactone)聚甲基丙烯酸-b-聚已内酯

　　PMAA-b-PCL

　　Poly(methyl acrylate-b-caprolactone)

　　聚甲基丙烯酸-b-聚已内酯

　　PBd-b-PtBuA

　　Poly(butadiene(1,2 addition)-b-t-butylacrylate

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　　实施例6、7、13～15中cpt-ss-m的用量分别占原料总质量的10％、5％、15％、20％。经比较可以看出，随着cpt-ss-m用量的增加，制备得到p(cpt-maa)纳米凝胶的粒径随之增大，接枝率降低。当cpt-ss-m的用量增加至原料总质量25％时，制备得到的p(cpt-maa)纳米凝胶在ph＝7.4的磷酸盐缓冲溶液中溶解，导致无法通过静脉注射给。综合实施例6～15可以看出，随着交联剂、引发剂、cpt-ss-m投料量增加，所制备的p(cpt-maa)前纳米凝胶的直径增加。增加交联剂的用量可以增加聚合早期初级较小核的数量，其倾向于聚集成较大的颗粒以降低其表面张力。增加引发剂的用量将显著提高聚合活性，这不仅增加了聚合早期阶段的原核数量，而且加速了核增大聚合的反应。对于cpt-ss-m，由于cpt的刚性多苯基结构，所制备的纳米凝胶几乎不能被压缩，随着cpt-ss-m的进料量增加，导致直径增加。

　　进一步地，所述的喜树碱前凝胶满足以下至少一项:所述反应溶剂为乙腈；

　　所述保护气氛为氮气氛；

　　将反应混合物加热至沸腾状态进行反应；

　　反应时间为2小时；

　　待反应结束后，收集反应混合物，离心，即得喜树碱前凝胶；

　　优选地，以1×104转/分钟的转速离心10分钟；

　　还包含如下纯化步骤:取喜树碱前凝胶，加入乙腈，超声分散均匀，离心；