台山塑胶上门收购

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　聚乙交酯-b-聚乙二醇-聚乙交酯PS-b-PDLLA

　　Poly(styrene)-b-poly(D,L-lactide)

　　聚苯乙烯-b-DL型聚乳酸

　　PS-b-PLLA

　　Poly(styrene)-b-poly(L-lactide)

　　聚苯乙烯-b-L型聚乳酸

　　mPEG-PEI

　　从结果可以看出，在没有gsh或低gsh含量(2μm)的条件下，三种ph条件下物的释放的均比较缓慢，48h时喜树碱的累积释放速率不超过10％。然而，当处于更高含量的gsh(2mm或10mm)中时，喜树碱的释放显著加快，其在48小时后达到25.0％或64.9％(ph＝7.4)、50.9％或87.7％(ph＝5.0)。ph6.4条件下的喜树碱的累计释放速率略高于ph7.4，但低于ph5.0。考虑到肿瘤微环境与正常生理状况的显著差异，ph7.4或6.4的低释放率和低gsh含量(模拟正常组织和肿瘤组织微环境)有利于保持纳米凝胶稳定，而高释放率在ph5.0和高含量的gsh(模拟肿瘤细胞微环境)有助于释放癌细胞中的cpt，从而改善抗癌作用。

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　　P2VP-b-PMAAPoly(2-vinyl pyridine-b-methyl acrylicacid)

　　聚乙烯基吡啶-b-聚甲基丙烯酸

　　P2VPQ-b-PEO

　　Poly(N-methyl 2-vinyl pyridiniumiodide-b-ethylene oxide)

　　聚N-甲基乙烯基吡啶碘化物-b-聚氧乙烯

　　6 洗脱曲线IIP-PEI/Si O2的洗脱曲线如图8所示, 解吸率可以通过以下方程式进行计算: 解吸率 = 解吸液中金属离子量 /IIP-PEI/Si O2吸附的金属离子量×100% 结果表明, 在13 BV时, 解吸率达到99.04%。表明盐酸溶液对Cr3+的解吸率较高。这可能是因为PEI大分子上的氨基在强酸溶液下质子化 , N原子失去了与重金属离子螯合的能力。7 印迹条件对 IIP-PEI/Si O2的影响3.7.1 模板离子浓度的影响 Cr3+与IIP-PEI/Si O2上N原子的摩尔比通过改变Cr3+溶液的浓度变化, 合成出不同的印迹材料IIP-PEI/Si O2, 图9表明IIP-PEI/Si O2的饱和吸附量随着Cr3+和N原子的摩尔比变化的关系。 图 8 洗脱曲线:0.01 mol/L 的盐酸水溶液 ; 流 速 :1BV/h L;温度:20 ℃