塘厦水口料回收公司

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PEI/SiO 2和IIP-PEI/Si O2的红外光谱图如图3所示。在1212 cm-1处的吸收峰在印迹之后明显增强, 这是叔氨基的特征吸收峰C-N。在3641 cm-1和1701 cm-1的吸收峰, 即N-H的吸收峰, 消失。这些峰的消失说明PEI链的伯胺及叔胺上的H原子被环氧氯丙烷的亚甲基取代 (通过开环反应及脱氯化氢反应) 。也就是说, 的PEI链上的伯胺及仲胺基变为了叔氨基。同时, -OH键的震动吸收峰在3304 cm-1处消失, 进一步说明环氧氯丙烷的开环反应发生了。这充分说明了PEI大分子之间的交联反应在环氧氯丙烷的交联作用下发生了, 在硅胶颗粒表面形成了一层离子印迹聚合物, 获得了离子印迹聚合物IIP-PEI/Si O2。

　　Poly(methyl methacrylate-b-methacrylicacid)聚甲基丙烯酸甲酯-聚甲基丙烯酸PtBMA-b-PEO

　　Poly(t-butyl methacrylate-b-ethylene oxide)

　　聚甲基丙烯酸叔丁酯-b-聚氧乙烯

　　PMMA-b-PAA

　　Poly(methyl methacrylate-b-Acrylic Acid)

　　塘厦水口料回收公司

　　聚甲基丙烯酸(PMMA)为透明易碎的固体。溶于水，易溶于甲醇、乙醇、乙二醇乙醚、二甲基甲酰胺，不溶于丙酮和乙醚。由丙酮和氰化氢的加成中间产物2-甲基-羟基丙腈水解或由2-氰代丙醇与硫酸作用，再经水解制得甲基丙烯酸，甲基丙烯酸在引发剂过硫酸铵或双氧水和调节剂的存在下，进行聚合制得。目前，PMAA的制备方法主要丙酮氰醇法(HCN)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)水解法。丙酮氰醇法(HCN)是国内外生产聚甲基丙烯酸的主要方法，在丙酮与氰氢酸反应生产丙酮氰醇后，丙酮氰醇与浓硫酸反应，生成甲基丙烯酰胺硫酸盐，水解得甲基丙烯酸，在引发剂存在下聚合制得。该生产工艺繁琐、成本高，聚合时对pH值要求高，聚合速率较低；聚甲基丙烯酸甲酯水解法是将PMMA在酸碱催化、加热条件下水解制备聚甲基丙烯酸或聚甲基丙烯酸盐。

　　1 SSMIP的制备方法目前SSMIP的制备方法主要有接枝共聚法、活性可控自由基聚合法、牺牲硅胶骨架法和溶胶-凝胶法4种。 1.1 接枝共聚法 接枝共聚法是利用硅材料表面的活泼基团, 在由一种或几种单体组成的聚合物主链上, 通过一定的途径接上由另一种或几种单体组成的支链的共聚反应。接枝共聚法是高聚物改性技术中易实现的一种化学方法, 近年来在SSMIP制备中的发展尤为迅猛。