东山PMMA废料回收电话

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　分子印迹聚合物是近年发展起来的新型重要分子识别材料,功能单体与模板分子形成稳定的复合物,以使交联聚合后把模板分子的结构固定在聚合物的母体中,产生识别位点。此外,功能单体的用量对聚合物的识别性能有较大的影响,但功能单体一模板分子比例过高时,所制备的聚合物具有更紧密的结构和的耐溶胀性能。因此,模板分子与功能单体的选择对于分子印迹聚合物的制备。2.1 模板分子的选择印迹过程可以形成与模板分子形状及功能基排列互补的孔穴有关,因此研究模板的分子结构对MIP分子识别性能的影响具有重要意义。用小分子芳香族化合物,部分羟基数目及羟基位置不同的羟基苯甲酸化合物为模板分子,采用非共价印迹技术制备了相应的MIP,通过对比研究,探讨了模板分子中作用基团的数目及位置对非共价MIP分子识别能力影响的规律。模板分子中含有较多作用基团有利于得到对模板分子具有高印迹亲和力的印迹聚合物,即得到高印迹效率的MIP。当模板分子中作用基团间能形成分子内氢键时,印迹效率降低。这是由于印迹过程中模板分子的分子内氢键削弱了其与氢键型功能单体丙烯酰胺的结合,从而降低了模板分子的印迹效率。

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　　PS-b-PnBuMAPoly(styrene-b-n-butyl methacrylate)

　　聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸丁酯

　　PS-b-PtBuOS

　　Poly(styrene-b-t-butoxystyrene)

　　聚苯乙烯-b-聚丁氧基苯

　　PS-b-PtBuMA

　　Poly(styrene-b-t-butyl methacrylate)

　　Gauczinski等[4]将模板分子茶碱接枝到聚 (丙烯酸) 主链上, 通过对紫外线敏感的重氮聚阳离子用紫外光引发聚合, 在硅胶表面形成层层印迹薄膜, 制备了茶碱SSMIP。该SSMIP对与茶碱一个官能团差异的结构类似物咖啡因也显示出很好的结合特性。Yang等[5]以3-氨基丙基三乙氧基硅烷 (APTES) 为硅烷偶联剂和单体, 以青蒿素为模板, 以四乙氧硅烷 (TEOS) 为交联剂, 在硅胶表面通过接枝共聚法制备了青蒿素SSMIP。SSMIP对青蒿素的大吸附量为40.0mg/g。印迹因子和选择性系数分别为2.0和1.5。吸附在3.5h可以达到平衡, 在超临界CO2流体中SSMIP对青蒿素的吸附容量可以达到120.0mg/g。