番禺PVC边角料长期回收

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　实施例6、7、13～15中cpt-ss-m的用量分别占原料总质量的10％、5％、15％、20％。经比较可以看出，随着cpt-ss-m用量的增加，制备得到p(cpt-maa)纳米凝胶的粒径随之增大，接枝率降低。当cpt-ss-m的用量增加至原料总质量25％时，制备得到的p(cpt-maa)纳米凝胶在ph＝7.4的磷酸盐缓冲溶液中溶解，导致无法通过静脉注射给。综合实施例6～15可以看出，随着交联剂、引发剂、cpt-ss-m投料量增加，所制备的p(cpt-maa)前纳米凝胶的直径增加。增加交联剂的用量可以增加聚合早期初级较小核的数量，其倾向于聚集成较大的颗粒以降低其表面张力。增加引发剂的用量将显著提高聚合活性，这不仅增加了聚合早期阶段的原核数量，而且加速了核增大聚合的反应。对于cpt-ss-m，由于cpt的刚性多苯基结构，所制备的纳米凝胶几乎不能被压缩，随着cpt-ss-m的进料量增加，导致直径增加。

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　　此外，PS-b-PMAA也可作为吸附剂，吸附水中的金属离子或污染物，广泛应用于水处理、环境保护等领域。由于PMAA部分具有良好的水溶性和离子交换能力，PS-b-PMAA可以有效去除水中的有害物质。在表面改性和涂层技术中，PS-b-PMAA常被用作增强涂层附着力的材料。PS-b-PMAA能够在表面形成致密的聚合物膜，改善材料的耐久性和抗腐蚀性。此类应用在电子产品和防腐材料中尤其重要。

　　V是溶液的体积 (L) ;m是吸附剂IIP-PEI/Si O2的质量 (g) 。2.4.2 吸附等温线测定 称取0.2 g的IIP-PEI/Si O2加入锥形瓶中, 分别将100 m L不同质量浓度的 (10, 20, 30~80mg·L-1) 的Cr3+溶液加入到锥形瓶中。将锥形瓶放入到振荡器中 (预先设定的温度及p H) 。当吸附达到平衡, 依据下式计算平衡吸附量3 选择吸附实验为了研究IIP-PEI/Si O2对Cr3+的选择吸附性, 研究了Cr3+与Zn2+、Pb2+的竞争吸附。配制Cr3+/Zn2+及Cr3+/Pb2+的混合液。对上述两种混合溶液进行静态吸附, 在吸附达到平衡后, 测定溶液中Pb2+、Zn2+、Cr3+的含量。 IIP-PEI/Si O2对Pb2+、Zn2+和Cr3+的分布吸附系数 (Kd) 可通过式 (3) 计算