寮步PPS破碎料大量收购

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　将1.5 g的IIP-PEI/Si O2装入玻璃柱 (直径为8 mm) , 柱体积为2 m L。配制初始浓度为1000 mg/L的Cr3+离子溶液, 使其逐渐通过玻璃柱, 速度为每小时5床体积 (5 BV/h) 。收集1个床体积的流出液, 测定流出液Cr3+含量, 绘制动态吸附曲线, 计算渗透吸附量和饱和吸附量。采用0.01 mol/L的HCl溶液作为解吸剂对吸附剂进行解吸, 解吸剂的流速为1 BV/h。收集1BV/h的流出液, 测定其Cr3+浓度, 绘制解吸曲线。

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　　高量子产率金纳米团簇(CR-AuNCs)水溶性手性金纳米团簇(L-NIBC-AuNCs和D-NIBC-AuNCs)平均粒径小于2 nm

　　金纳米团簇-NFC复合物siRNA(GNC–siRNA)

　　剥离型环氧树脂/纳米复合材料

　　小粒径四氧化三铁纳米团簇

　　聚丙烯酸(PAA)修饰四氧化三铁纳米团簇(Fe3O4NCs)

　　Poly(methylmethacrylate)-b-Pol(methacrylicacid)-b-Poly(methylmethacrylate)

　　PMMA-PDMS-PMMA

　　Poly(methylmethacrylate)-b-Polydimethylsiloxane-b-poly(methylmethacrylat)

　　PMMA-PS-PMMAPoly(methyl methacrylate)-b-Polystyrene-b-Poly(methylmethacrylate)