金湾TPU手机套回收电话

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PMMA-b-PNPAPoly(methyl methacrylate-b-neopentylacrylate)

　　聚甲基丙烯酸-b-聚新戊酯

　　PMMA-b-PNA

　　Poly(methyl methacrylate-b-n-nonylacrylate)

　　聚甲基丙烯酸-b-聚壬酯

　　PMMA-b-PHEMA

　　PAA 的耐高温性相对较差，通常用于温度较低的工业冷却水系统和普通水处理系统，不适合高温环境。4. 使用环境 适用于要求较高的水处理环境，如高温、高硬度和高压系统。它通常用于蒸发器、锅炉、海水淡化、石油开采中的注水处理等场合。 主要用于工业冷却水、反渗透系统、造纸行业等常温水处理系统，也可以与其他阻垢剂和分散剂联合使用，适合广泛的工业应用。

　　降解性和性HPMA 具有较好的生物降解性，使用后对环境影响相对较小，尤其在一些要求严格的领域中更受欢迎。 PAA 的降解性较低，但由于其阻垢和分散效果好，仍然广泛用于不太关注降解性的工业系统中。

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　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-羧基PCLA-PEG-NHS

　　Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-NHS  CL:LA  50:50

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-活化脂

　　PCLA-PEG-Folate

　　Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-Folate  CL:LA  50:50

　　PS-b-PPAAPoly(styrene-b-propylacrylic acid)

　　聚苯乙烯-b-聚丙基丙烯酸酸

　　PDMS-b-PAA

　　Poly(dimethylsiloxane-b-acrylic acid)

　　聚二甲基硅氧烷-b-聚丙烯酸

　　PDMS-b-PEO

　　Poly(dimethylsiloxane-b-ethylene oxide)