石龙PPS塑胶回收公司

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PEO-PBd-PEO

　　Poly(ethylene oxide-b-butadiene-b-ethyleneoxide)

　　PS-PAA-PSPoly(styrene-b-acrylic acid-b-styrene)

　　PS-PBd-PS

　　Poly(styrene-b-butadiene (1,4 addition)-b-styrene)

　　分子印迹技术一般包括以下几个步骤:①在一定溶剂中,具有适当功能基团的功能单体通过与模板分子间的相互作用聚集在模板分子周围,形成稳定的复合物。②加入交联剂后,过量的交联剂使得功能单体上的功能基团在特定的空间取向上固定。③将聚合物中的印迹分子洗脱或解离出来得到分子印迹聚合物(见下图)。2 分子印迹聚合物及其制备 分子印迹聚合物是分子印迹技术的核心。简单地说,它是一种人工合成的利用分子印迹技术制备的高分子聚合物。该聚合物拥有与模板分子大小和形状相匹配的立体孔穴,同时孔穴中包含了排列的与特定结构的模板分子官能团互补的活性基团。所以分子印迹聚合物具有特异“记忆”功能基团。MIP的制备方法通常有本体聚合、沉淀聚合、表面印迹、溶胶凝胶、两步溶胀等方法。

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　　聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚丙烯酸PNPMA-b-PMAAPoly(neopentyl methacrylate-b-methacrylicacid)

　　新戊酯-b-聚甲基丙烯酸

　　PEO-b-PAA

　　Poly(ethylene oxide-b-acrylic acid)

　　聚氧乙烯-b-聚丙烯酸

　　PEO-b-PAMD

　　PS-P4VP-PEO

　　Poly(styrene-b-4-vinyl pyridine-b-ethyleneoxide)

　　PAA-NH2Poly(acrylic acid) Function NH2

　　Poly(acrylic acid) Function OH

　　HS-PCL-COOH

　　Thiol–Carboxy–terminatedPoly(ε-caprolactone)