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1960年,出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。
1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。
1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。
1976年,美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。
1989年,日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术(EUVL)。
1990年后,开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。
1992年,IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂,而且在193 nm有较好的透光性 。
聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-氨基PCLA-PEG-MAL
Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-MAL CL:LA 50:50
聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-马来酰亚胺
PCLA-PEG-COOH
Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-Acid CL:LA 50:50
二亲嵌段共聚物列表:PS-b-PAA
polystyrene-block-poly(acrylic acid)
聚苯乙烯-b-聚丙烯酸
PS-b-PMMA
Polystyrene-block-Poly(methyl methacrylate)
聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸甲酯
PS-b-PEG
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Poly(methyl methacrylate-b-methacrylicacid)聚甲基丙烯酸甲酯-聚甲基丙烯酸PtBMA-b-PEO
Poly(t-butyl methacrylate-b-ethylene oxide)
聚甲基丙烯酸叔丁酯-b-聚氧乙烯
PMMA-b-PAA
Poly(methyl methacrylate-b-Acrylic Acid)
分子印迹复合材料多种材料相互补充使复合材料的性能更为。除了单一的膜材料、磁性材料和纳米材料外,出现了复合材料如纳米膜材料、磁性纳米材料等。这些复合材料已经应用于分子印迹技术中。王小如等合成了纳米管膜应用于化学分离,并用多孔性氧化铝为模具合成了磁性分子印迹纳米线。复合材料为分子印迹的发展提供了新的动力。 自20世纪90年代以来,MIT以其高亲和性、高选择性等优点迅速吸引了各国研究人员的注意并蓬勃发展,至今已被应用于化学、生物、医学、环境等各大学科及其分支领域之中。MIPs的合成与应用方法已日趋成熟,但目前的MIT仍存在着一些问题。如其尚不能将某些类似物分离。随着计算化学与计算机模拟技术的发展,建立完整的单体交联剂库,利用虚拟反应来指导MIPs的合成已成为新的发展趋势。此外,大力发展水相中制备方法,减少对有机溶剂的依赖,不仅能模拟生物体的识别模式,而且会大地扩展其使用范围。