南海PS塑胶收购价格

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　单分子层保护的金纳米团簇(Au-MPCs)Au36(SR)24金纳簇

　　聚甲基丙烯酸修饰荧光银纳米团簇((PMAA-AgNCs)

　　磁性的GSH-AgNCs@PEI-Fe3O4

　　丙氨酸纳米银颗粒(CA-AgNPs)

　　近红外荧光金纳米团簇(LAAO-AuNCs)

　　硫普罗宁修饰的荧光金纳米团簇(TPN-Au NCs)

　　胶束的制备方法物分子与聚合物的疏水链官能团在一定条件下发生化学反应，将物共价结合在聚合物上，从而有效控制物释放速度。此法需要合适的官能团方能进行

　　反应,应用受到一定限制。等合成了聚(DL-乳酸-共-羟乙酸)-b-聚乙二醇(PLGA-PEG)共聚物，将阿霉素共价连接到PLGA 。化学结合法胶束载量高于物理包埋法。

　　利用胶束疏水内核和难溶物的疏水相互作用及氢键力，将物增溶于聚合物胶束中。主要包括以下五种制备方法

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　　Lv等[11]通过VTTS接枝后聚合MAA, 在硅胶表面覆盖高密度聚合物膜制备SSMIP, 并利用其固相萃取分离鱼样品中的诺氟沙星 (NOR) 。该SSMIP对NOR的大吸附量达423.2μmol/g, 选择性系数为14.64, 吸附在2h左右可达到饱和。Guo等[12]在二氧化硅表面通过VTTS接枝, 以AM为单体, N, N′-亚甲基双丙烯酰胺为交联剂, 聚乙烯醇 (PVA) 为辅助识别聚合物链 (ARPCs) , 制备了牛血红蛋白 (BHb) SSMIP。吸附动力学研究表明, 将ARPCs引入到印迹聚合物网络中明显改善了SSMIP对BHb的吸附能力。

　　聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚丙烯酸PNPMA-b-PMAAPoly(neopentyl methacrylate-b-methacrylicacid)

　　新戊酯-b-聚甲基丙烯酸

　　PEO-b-PAA

　　Poly(ethylene oxide-b-acrylic acid)

　　聚氧乙烯-b-聚丙烯酸

　　PEO-b-PAMD