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　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　He等[6]以3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷 (KH-570) 修饰的纳米硅为载体材料, 甲基丙烯酸 (MAA) 为功能单体, 乙二醇二甲基丙烯酸酯 (EGDMA) 为交联剂, 通过表面接枝共聚法制备了天麻素 (GAS) SSMIP。该SSMIP对GAS具有良好的选择性和较快的结合动力学, 对竞争底物的选择性系数为3.455, 吸附在40min可达到平衡。Gao等[7]以丙基三甲氧基硅烷 (MPS) 作为媒介物, 首次将功能性高分子聚甲基丙烯酸 (PMAA) 接枝到微米级的硅胶粒子表面 (PMAA/SiO2) , 以肌酐为模板, 乙二醇缩水甘油醚 (EGGE) 为交联剂, 通过PMAA和肌酸酐分子间的氢键和静电作用制备肌酐印迹材料MIP-PMAA/SiO2。实验结果表明:MIP-PMAA/SiO2对肌酸酐具有良好的亲和力和较高的识别选择性;而PMAA/SiO2粒子对肌酸酐几乎不存在选择性识别。在碱性条件下PMAA/SiO2对肌酐和肌酸的选择性系数分别为1.23和1.30;而MIP-PMAA/SiO2对肌酐和肌酸的选择性系数显著增大, 分别为11.64和12.87, 显示出对肌酸酐的识别选择性和亲和力。

　　聚丁二烯-b-聚丙烯酸丁酯PBd-b-PMMA

　　Poly(butadiene(1,2 addition)-b-methylmethacrylate)

　　聚丁二烯-b-聚甲基丙烯酸

　　PBd-b-PCL

　　Poly(butadiene(1,4addition)-b-ε-caprolactone)

　　聚丁二烯-b-聚已内酯

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　　制备一种可注射的纳米复合水凝胶，首先采用物理混合的方式将CNCs与腙交联的聚（低聚乙二醇甲基丙烯酸酯）（POEGMA）共混得到前体聚合物溶液，然后通过双筒注射器共挤出反应性前体聚合物溶液而得到纳米复合水凝胶。2、 化学交联

　　CNCs通过化学交联引入聚合物水凝胶网络，制备的水凝胶机械性能更强。CNCs可自行交联，也可与网状聚合物基质相互交联。为达到交联目的，通过表面改性将特定官能团（硅基、羧基或醛基）引入CNCs表面。CNCs的表面改性可以通过直接化学改性或与分子的物理吸附作用来实现。

　　P2VP-b-PMAAPoly(2-vinyl pyridine-b-methyl acrylicacid)

　　聚乙烯基吡啶-b-聚甲基丙烯酸

　　P2VPQ-b-PEO

　　Poly(N-methyl 2-vinyl pyridiniumiodide-b-ethylene oxide)

　　聚N-甲基乙烯基吡啶碘化物-b-聚氧乙烯