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　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　HS-PCL-OHThiol-Hydroxy-terminatedpoly(ε-caprolactone)NH2-PLA-OH

　　Amino-Hydroxy terminated polylactide

　　NH2-PCL-OH

　　Amino-Hydroxy terminatedPoly(ε-caprolactone)

　　PS-P4VP-PEO

　　Poly(styrene-b-4-vinyl pyridine-b-ethyleneoxide)

　　PAA-NH2Poly(acrylic acid) Function NH2

　　Poly(acrylic acid) Function OH

　　HS-PCL-COOH

　　Thiol–Carboxy–terminatedPoly(ε-caprolactone)

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　　分子印迹纳米材料纳米材料是指三维尺度中有一维以上处于纳米量级(1～100nm),即由尺寸介于原子、分子和宏观体系之间的纳米粒子所组成的新一代材料。纳米材料与传统材料相比有较低的熔点、较小的体积、巨大的比表面积、强化学活性和催化活性,此外其还有的比热、光学、电学、磁学、力学等一系列优良的性能。 分子印迹技术利用纳米材料巨大的比表面积制备印迹聚合物,可以充分地暴露印迹识别位点,大大减少吸附过程当中的传质阻力,增强吸附过程的动力学特征,进而提高吸附量。纳米分子印迹聚合物的形式主要为纳米粒子、纳米管和纳米膜。张忠平等以硅为基质通过溶胶凝胶反应分别制得了对TNT有特异性识别的纳米粒子。其制得的纳米粒印迹材料的印迹位点密度大约为普通印迹材料的5倍。其动力学研究表面,纳米印迹粒子达到平衡所用的时间也只为普通印迹材料的1/3。

　　在环境保护方面，PIB-b-PMAA由于PMAA部分的亲水性，可以作为一种水溶性吸附材料，广泛应用于水处理和污染物去除。PIB部分的疏水性有助于吸附和去除水中有机污染物，而PMAA则能够吸附一些无机污染物，尤其是对重金属离子的吸附效果较好，适用于水净化。此外，PIB-b-PMAA还可应用于涂料和涂层，作为增强材料的稳定性和*污性。PIB的疏水性有助于提高涂料的耐污染性，而PMAA部分则改善了涂层的附着力和抗湿性。因此，PIB-b-PMAA在工业涂层、电子元件保护等领域有重要的应用。