高要PS原料回收厂家

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　进行了5 m L相同浓度的Cr3+溶液与不同体积的PEI溶液的反应, 上清液的吸附光谱如图2所示。从图2可以看出, 体系的吸光度 (剩余Cr3+离子的吸光度) 随着加入的PEI溶液的增加逐渐降低, 当PEI溶液体积达到30 m L时 (曲线h) , PEI加入量与Cr3+分子比为6∶1, 体系的吸光度达到小值, A=0, 表明Cr3+已被耗尽;随后, 继续增加PEI的体积, 体系的吸光度仍为0, 曲线i和曲线h叠加。实验结果表明PEI大分子上氨基的N原子与Cr3+的配位呈定量, 化学计量比为6∶1, 配位体的螯合数为6。

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-叶酸

　　PLAL-mPEG

　　Poly(lactide-co-allyl lactide)-b-poly(ethyleneglycol)   LA:AL 50:50

　　聚乳酸-聚烯丙基丙交酯-b-聚乙二醇PLAL-PEG-PLAL

　　Poly(lactide-co-allyl lactide)-b-poly(ethyleneglycol)-Poly(lactide-co-allyl lactide) LA:AL 50:50

　　高要PS原料回收厂家

　　聚丁二烯-b-聚乙烯基吡啶PIB-b-PtBuMA

　　Poly(isobutylene-b-t-butyl methacrylate)

　　聚异丁烯-b-聚甲基丙烯酸丁酯

　　PIB-b-PMMA

　　Poly(isobutylene-b-methyl methacrylate)

　　聚异丁烯-b-聚甲基丙烯酸

　　He等[13]通过表面印迹和纳米级尺寸两种有效的方法来解决模板分子与印迹聚合物间传质的困难, 将乙烯改性纳米二氧化硅颗粒分散在水介质中, 以溶菌酶为模板分子, 通过自由基引发低浓度单体 (总单体浓度为0.4% (质量分数) , 低于常用浓度的1/10) 的接枝聚合, 制备了溶菌酶SSMIP。该SSMIP达到饱和吸附仅需5min, 对溶菌酶表现出的识别特性。该研究根据目标蛋白的性质选择合适的单体和对载体表面进行合理的化学设计, 为蛋白表面纳米印迹聚合物材料的制备提供了一种可借鉴的方法。